電子網(wǎng)《技術(shù)資料》頻道提供國外各種電路圖、電源電路圖、555電路圖、原理圖、功放電路圖、手機(jī)電路圖、汽車電路圖、音頻電路圖、電子制作電路圖等.

①各種技術(shù)數(shù)據(jù)。各種技術(shù)數(shù)據(jù)均為一般產(chǎn)品的平均數(shù)據(jù)，與各公司生產(chǎn)的各品種的集成電路實(shí)際情況有可能不完全相同。因而具體選用時，還需查更詳細(xì)的資料。 ②電源電壓。TTL類型的標(biāo)準(zhǔn)工作電壓都是+5V，，其他邏輯器件的工作電壓一般都有較寬的允許范圍。特別是MOS器件，如CMOS中的4000B系列可以工作在3～18V；PMOS一般可工作在10～24V；HCMOS系列為2～6V。 另外，在使用各種器件組成系統(tǒng)時，要注意RL5C292-002各種相互連接的器件必須使用同一電源電壓，否則，就可能不滿足0、1(或L、H)電平的定義范圍而造成工作異常。 ③單門平均延時。單門平均延時是指門傳輸延遲時間的平均值tpd，它是衡量電路開關(guān)速度的一個動態(tài)參數(shù)，用以說明一個脈沖信號從輸入端經(jīng)過一個邏輯門，再從輸出端輸出要延遲多少時間。把輸出電壓下降邊的50%對于輸入電壓上升邊昀50%的時間間隔稱為導(dǎo)通延遲時間，即tPHL；把輸出電壓上升邊的50%對于輸入電壓下降邊的50%的時間間隔稱為關(guān)閉延遲時間，即tPLH。因此，平均延遲時間￡。a定義為： tpd一(tPHI.+tPLH)／2如TTL與非門，一般要求f。d=10～40ns。通常把￡，。為40～160ns的稱為低速集成電路；15～40ns的稱為中速集成電路；6～15ns的稱為高速集成電路；￡。。≤6ns的稱為甚高速集成電路。由表可見，ECL的速度最高，而PMOS的速度最低。 ④單門靜態(tài)功耗。單門靜態(tài)功耗是指單門的直流功耗，它是衡量一個電路質(zhì)量好壞的重要參數(shù)。靜態(tài)功耗等于工作電源電壓及其泄漏電流的乘積，一般說靜態(tài)功耗越小，電路的質(zhì)量越好。由表中可知CMOS電路

(1)TTL集成電路這類集成電路是以雙極型晶體管（即通常所說的晶體管）為開關(guān)元件，輸入級采用多發(fā)射極晶體管形式，開關(guān)放大電路也都是由晶體管構(gòu)成，因此稱為晶體管一晶體管一邏輯，即TTL(Transistor-Transistor-Logic)。TTL電路在速度和功耗方面，都處于現(xiàn)代數(shù)字集成電路的中等水平。它的品種豐富、互換性強(qiáng)，一般均以74（民用）或54（軍用）為型號前綴。 ①74LS系列（簡稱LS、LSTTL等）。這是現(xiàn)代TTL類型的主要應(yīng)用產(chǎn)品系列，也是邏輯集成電路的重要產(chǎn)品之一。其主要特點(diǎn)是功耗低、品種多、價格便宜。 ②74S系列（簡稱S、STTL等）。這是TTL的高速型，也是目前應(yīng)用較多的產(chǎn)品之一。 其特點(diǎn)是速度較高，但功耗比LSTTL大得多。 ③74ALS系列（簡稱ALS、ALSTTL等）。這是LSTTL的先進(jìn)產(chǎn)品，其速度TD62S050AFM-EL比LSTTL提高了一倍以上，功耗降低了一半左右。其特性和LS系列近似，因此成為LS系列的更新?lián)Q代產(chǎn)品。 ④74AS系列（簡稱AS、ALSTTL等），這是STTL(抗飽和TTL)的先進(jìn)型，速度比ST-TL提高近一倍，功耗比STTL降低一半，與ALSTTL系列合并起來成為TTL類型的新的主要標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。 ⑤74F系列（簡稱F、FTTL或FAST等）。這是美國（仙童）公司開發(fā)的類似于ALS、AS的高速類TTL產(chǎn)品，性能介于ALS和AS之間，已成為TTL的主流產(chǎn)品之一。 (2)ECI。集成電路ECL(EmitterCoupledLogic)門是雙極型邏輯門的一種非飽和型的門電路，它的電路構(gòu)成和差分放大器外形相似，但工作在開關(guān)狀態(tài)，即截

半導(dǎo)體存儲器是集成電路的主要產(chǎn)品門類之一。它在世界IC市場中占有約30%的份額，其發(fā)展帶動著整個IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。存儲器作為各類電子計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)圖像等信息處理系統(tǒng)、數(shù)字化控制系統(tǒng)、智能電子儀表中的重要記憶元件而得到廣泛應(yīng)用并飛速發(fā)展。 半導(dǎo)體集成電路存儲器從功能上分為兩大類，一類為只讀存儲器(ReadOnlyMemory，ROM)；-類為隨機(jī)存取存儲器(RandomAccessMemory，RAM)，簡稱隨機(jī)存儲器。 從使用角度看，半導(dǎo)體存儲器也可以分成兩大類：斷電后數(shù)據(jù)會丟失的易失性存儲器和斷電后數(shù)據(jù)不會丟失的非易失性存儲器。其中易失性存儲器又分為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)兩種。非易失性存儲器則分為掩模ROM、EPROM、EEPROM以及快閃存儲器(FlashMemory)。 其他類型還包括抗輻照存儲器SRAM、同步動態(tài)隨機(jī)存儲器SDRAM、FIFO存儲器以及鐵電存儲器(FRAM)等新型存儲器。 FIFO的全稱是FirstInFirstOut，意思就是先進(jìn)先出。FIFO芯片是一種具有存儲功能的高速邏輯芯片，在高速數(shù)字系統(tǒng)中經(jīng)常用作數(shù)據(jù)緩存，尤其在多CPU通信中獲得廣泛應(yīng)用。 作為一種新型大規(guī)模集成HAT2195R-EL電路，F(xiàn)IFO芯片以其靈活、方便、高效的特性，逐漸在高速數(shù)據(jù)采集、高速數(shù)據(jù)處理、高速數(shù)據(jù)傳輸以及多機(jī)處理系統(tǒng)中得到越來越廣泛的應(yīng)用。 SDRAM(SynchronousDRAM)即同步動態(tài)內(nèi)存，為雙存儲體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當(dāng)CPU從一個存儲陣列訪問數(shù)據(jù)的同時，另一個陣列已準(zhǔn)備好讀寫數(shù)據(jù)。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀

處理器包括CPU和DSP等。中央處理器一般由邏輯運(yùn)算單元、控制單元和存儲單元組成。在邏輯運(yùn)算和控制單元中包括一些寄存器，這些寄存器用于CPU在處理數(shù)據(jù)過程中數(shù)據(jù)的暫時保存，簡單地講是由控制器和運(yùn)算器兩部分集成在同一芯片內(nèi)，合稱“中央處理器(CPU)”。早期的計(jì)算機(jī)以控制器、運(yùn)算器為機(jī)器的中心，缺點(diǎn)是快速中央處理器在等待慢速的外圍設(shè)備、控制器時負(fù)擔(dān)過重。現(xiàn)在計(jì)算機(jī)改成以主存儲器為中心，其特點(diǎn)是系統(tǒng)的輸人／輸出與CPU的運(yùn)算并行，多種輸入和輸出并行。 1971年，英特爾公司推出的第一款微處理器4004，它采用lOILm的PMOS工藝，總線位數(shù)為4位，工作電壓為12V，集成2300個元件，時鐘頻率為0.108MHz，為計(jì)算機(jī)的智能嵌入開創(chuàng)了技術(shù)途徑；經(jīng)過6μm、3μm、1.5μm、1.0μm、0.8μm、0.5μm、0.35μm、0.25μm等多個階段的演變與改進(jìn)，不斷推出8008，8080，8086，8088，286，386，486，釋PentiumPro，PentiumⅡ，PentiumⅢ等新型微處理器產(chǎn)品。2000年推出的PentiumⅢ采用0.18ym工藝．集成4200萬元件，總線位數(shù)為64位，時鐘頻率達(dá)1.5GHz。 單內(nèi)核處理器技術(shù)的發(fā)展BD3-1212-5遇到了瓶頸，而多內(nèi)核技術(shù)則可以提升處理器的整體性能。2005年5月，英特爾公司推出帶有兩個處理內(nèi)核的奔騰處理器。2006年5月，英特爾“酷睿2”雙核處理器隆重推出，2006年7月，英特爾公司發(fā)布了十款全新英特爾“酷睿2”雙核處理器和英特爾“酷睿至尊”處理器。英特爾“酷睿2”雙核處理器家族，包括5款專門針對企業(yè)、家庭、工

判斷某個數(shù)字集成電路器件的質(zhì)量，可以采用邏輯功能檢測法和置位功能檢測法，必要時還需采用參數(shù)測試法。 (l)邏輯功能檢測法數(shù)字集成電路器件邏輯功能正確的標(biāo)準(zhǔn)是：在規(guī)定的電源電壓范圍內(nèi)以及負(fù)載開路的情況下，電路的輸入與輸出之間的關(guān)系應(yīng)完全符合真值表或邏輯功能表所規(guī)定的邏輯美系，且輸出電平應(yīng)符合規(guī)定值。根據(jù)測試條件的不同，邏輯功能檢測法一般有以下幾種。 ①數(shù)字集成電路測試儀檢測法：用數(shù)字集成電路測試儀檢測數(shù)字集成電路器件的邏輯功能是最為簡潔迅速的方法，尤其適合種類多、數(shù)量多的場合。 ②數(shù)字電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)儀檢測法：先給集成電路接上符合規(guī)定的電源電壓，利用數(shù)字電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)儀給出各種要求的輸入電平（接集成電路的輸入端），集成電路的輸出端接電平顯示器或邏輯筆，觀察邏輯電平是否符合真值表的規(guī)定。 ③萬用表法：在沒有以上儀器的情況下，用萬用表也可以檢測器件的邏輯功能。即首先將待檢測器件插入簡易測試板的插座中，并接好電源電壓；然后按真值表MOS1CT52R751J規(guī)定的輸入電平，將各輸入端分別接地（邏輯0）、接電源（邏輯1），分別測量輸出電壓值，判斷器件的邏輯功能是否正常即可。注意：對于時鐘輸入端可用“先接地，瞬間接電源或反之”的方法來實(shí)現(xiàn)。 ④示波器觀察法：首先將待檢測器件插入簡易測試板的插座中，并接好電源電壓；然后在各輸入端分別輸入合適的脈沖信號，用雙蹤示波器同時觀察輸出輸入波形，并根據(jù)其波形分析邏輯關(guān)系是否正確就可以判別集成電路的好壞。必要時還可以測出被測信號的幅度、脈寬、占空比、前后沿時間、最高融發(fā)頻率、抗干擾能力等脈沖參數(shù)。 (2)置位功能檢測法對于各種觸發(fā)器和規(guī)模較大的數(shù)字集成電路可采用

在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)合理選擇數(shù)字集成電路器件，具體選擇根據(jù)實(shí)際需要有所差別，下面從幾個方面進(jìn)行探討。 (1)依據(jù)邏輯功能所選擇數(shù)字集成器件應(yīng)能夠完成邏輯功能要求，為了使數(shù)字系統(tǒng)能夠正常工作還要綜合考慮各部分的配合來選擇器件類型。 (2)依據(jù)電源條件當(dāng)系統(tǒng)以電池為電源工作時，采用CMOS是最佳選擇。因?yàn)镃MOS不僅功耗低，電池使用時間長，而且其電源電壓范圍寬，適應(yīng)性強(qiáng)，電池電壓稍有下降不至于影響電路的邏輯功能；若選用TTL電路，不但功耗大，影響電池使用時間，而且對M4A5-64/32-7VNC48電源電壓值要求嚴(yán)格。為避免電池電壓下降帶來的間題，就必須提高供電電壓，并加一個穩(wěn)壓電源，這些措施都會進(jìn)一步增大功耗。 當(dāng)系統(tǒng)電源電壓高于5V時，亦采用CMOS為宜；若用TTL電路，則必須加電平轉(zhuǎn)換電路。 (3)依據(jù)系統(tǒng)功耗若系統(tǒng)有低電壓、低電流工作要求，則應(yīng)選擇CMOS集成器件。例如野外作業(yè)的便攜式設(shè)備。 除上述原則外，還要考慮系統(tǒng)工作速度，傳輸延遲時間，數(shù)據(jù)建立和保持時間，時鐘脈沖寬度和置位、復(fù)位脈沖寬度，邏輯電平，抗干擾能力，扇出系數(shù)以及價格等因素，在此，不再詳述。

(1)基本注意事項(xiàng)1)仔細(xì)認(rèn)真查閱使用器件型號的資料對于要使用的集成電路，首先要根據(jù)手冊查出該型號器件的資料，注意器件的引腳排列圖接線，按參數(shù)表給出的參數(shù)規(guī)范使用，在使用中，不得超過最大額定值（如電源電壓、環(huán)境溫度、輸出電流等），否則將損壞器件。 2)注意電源電壓的穩(wěn)定性為了保證電路的穩(wěn)定性，供電電源的質(zhì)量一定要好，要穩(wěn)壓。在電涿的引線端并聯(lián)大的濾波電容，以避免由于電源通斷的瞬間而產(chǎn)生沖擊電壓。更注意不要將電源的極性接反，否則將會損壞器件。 3)采用合適的方法焊接集成電路在需要彎曲引腳引線時，不要靠近根部彎曲。焊接前不允許用刀刮去引線上的鍍金層，焊接所用的烙鐵功率不應(yīng)超過25 W，焊接時間不應(yīng)過長。焊接時最好選用中性焊劑。焊接后嚴(yán)禁將器件連同印制電路板放入有機(jī)溶液中浸泡。 4)注意設(shè)計(jì)工藝，增強(qiáng)抗干擾措施在設(shè)計(jì)印刷電路板時，要注意用線的布局，應(yīng)避免引線過長，以防止竄擾和對信號傳輸延遲。此外要把電源線設(shè)計(jì)的寬些，地線要進(jìn)行大面積接地，這樣可減少接地噪聲干擾。 (2) TTL集成電路使用應(yīng)注意的問題1)電源電壓的穩(wěn)定及電源干擾的消除TTL集成電路的電源電壓允許變化范圍比較窄，應(yīng)正確選擇電源電壓。對于74系列電源應(yīng)取為V。。=5×(1±0.05)V，對于54系列電源應(yīng)取為Vc(、=5×(1±0.1)V，不允許超出這個范圍。為防止動態(tài)尖峰電流或脈沖電流通過公共電源內(nèi)阻耦合到邏輯電路造成的干擾，須對電源進(jìn)行濾波。通常在印刷電路上加接電容進(jìn)行濾波。在使用時更不能將電源與地顛倒接錯，否則將會因?yàn)檫^大的電流而造成器件損壞。 2)對輸入端的處理TTL集成電路的各個輸入端不能直接與高于+5.5 V

在學(xué)習(xí)和應(yīng)用數(shù)字集成電路時，要想了解數(shù)字集成電路的功能或檢測數(shù)字集成電路的好壞，只要實(shí)驗(yàn)和測試集成電路的輸人與輸出關(guān)系是否符合真值表即可。因此數(shù)字集成電路實(shí)驗(yàn)、檢測器只要解決輸入端的高、低電平切換、無反跳觸發(fā)開關(guān)信號、輸入端時鐘脈沖即可;輸出端主要解決一個電平顯示即可。 本集成電路實(shí)驗(yàn)、檢測器主要以實(shí)驗(yàn)74系列集成電路設(shè)計(jì)的，如果是4000系列(CMOS系列)的集成電路只要在有些元件數(shù)值上稍作變化即可，變動原則可參考本書第九部分集成電路相關(guān)內(nèi)容。 集成電路實(shí)驗(yàn)、檢測器的面板布置如圖(a)所示。 圖(b)為輸出顯示電路;圖(c)為高低電平切換開關(guān);圖(d)為無反跳按鈕開關(guān)電路;圖(e)為時鐘脈沖電路。 集成電路實(shí)驗(yàn)、檢測器的使用方法可參考圖(f)。

0 引言 隨著數(shù)字技術(shù)的不斷發(fā)展，數(shù)字集成電路在各個領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。本文介紹一種用數(shù)字集成電路、霍爾集成電路設(shè)計(jì)的里程表。該里程表具有電路結(jié)構(gòu)簡單、計(jì)量精度高、工作穩(wěn)定可靠、改變設(shè)計(jì)量程方便、成本低等特點(diǎn)。我們曾將該里程表安裝于某電動車上測試，取得了滿意的效果。 1 工作原理 里程表的工作原理框圖如圖1所示。霍爾集成電路完成從非電量到電量的轉(zhuǎn)換，將車輪轉(zhuǎn)動信號轉(zhuǎn)換為電信號。此信號幅值較小，經(jīng)過比較器使其變成幅值較大的脈沖信號。該脈沖信號由施密特觸發(fā)器整形后送給計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)器輸出的8421BCD碼經(jīng)譯碼器譯碼后驅(qū)動LED顯示器顯示出計(jì)量結(jié)果。根據(jù)該框圖設(shè)計(jì)的里程表電路如圖1所示。 2 主要單元電路的設(shè)計(jì) 2．1 霍爾集成電路傳感器 傳感器是里程表的重要部件，它的性能對整機(jī)電路的工作起著極其重要的作用。這里我們選用CS3120開關(guān)型霍爾集成電路。這種集成電路具有使用壽命長、無觸點(diǎn)磨損、無火花干擾、輸出電阻小、功耗低、靈敏度高、溫度特性好等特點(diǎn)。電路內(nèi)部由霍爾元件、電壓調(diào)整器、差分放大器、輸出級等組成，采用塑料封裝成三端器件，其功能圖如圖2所示。 穩(wěn)壓部分使電路能在較寬的電源電壓范圍內(nèi)工作，開路輸出使電路很容易地與眾多的邏輯部件連接。圖3是這種開關(guān)型霍爾集成電路的轉(zhuǎn)移特性曲線。由圖3看出，當(dāng)外加磁場強(qiáng)度B 上升到導(dǎo)通點(diǎn)BOP時，霍爾開關(guān)輸出由高電平降為低電平；當(dāng)B由大變小降至BRP時，輸出再由低電平跳變?yōu)楦唠娖健?實(shí)際應(yīng)用時將霍爾傳感器做成如圖4所示的結(jié)構(gòu)。鐵桿與磁鋼粘牢后固定于車輪的適當(dāng)位置。霍爾集成電路固定在車架上，與磁鋼的垂直距離為2 mm～3 mm。這樣，車

由于具有體積小、重量輕等特點(diǎn)，半導(dǎo)體激光器(LD)在信息、通訊、醫(yī)療等領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用，且與電子器件結(jié)合實(shí)現(xiàn)單片光電子集成。但是LD容易受到過電壓、電流或靜電荷的沖擊而損壞[1,2]，其電源的研究愈來愈受到人們的重視。若電源輸出電壓或電流波形質(zhì)量不高，又缺乏有效保護(hù)，將導(dǎo)致激光器性能下降或造成損壞，因此要設(shè)計(jì)性能優(yōu)良的電源來保證LD安全穩(wěn)定地工作。 本文以數(shù)字集成電路為核心，設(shè)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)智能控制的半導(dǎo)體激光器電源。 半導(dǎo)體激光器LD工作影響因素 半導(dǎo)體激光器的核心是PN結(jié)一旦被擊穿或諧振腔面部分遭到破壞，則無法產(chǎn)生非平衡載流子和輻射復(fù)合，視其破壞程度而表現(xiàn)為激光器輸出降低或失效。 造成LD損壞的原因主要為腔面污染和浪涌擊穿。腔面污染可通過凈化工作環(huán)境來解決，而更多的損壞緣于浪涌擊穿。浪涌會產(chǎn)生半導(dǎo)體激光器PN結(jié)損傷或擊穿，其產(chǎn)生原因是多方面的，包括：①電源開關(guān)瞬間電流;②電網(wǎng)中其它用電裝備起停機(jī);③雷電;④強(qiáng)的靜電場等。實(shí)際工作環(huán)境下的高壓、靜電、浪涌沖擊等因素將造成LD的損壞或使用壽命縮短，因此必須采取措施加以防護(hù)。 傳統(tǒng)激光器電源是用純硬件電路實(shí)現(xiàn)的，采用模擬控制方式[2,3]，雖然也能較好的驅(qū)動激光，但無法實(shí)現(xiàn)精確控制，在很多工業(yè)應(yīng)用中降低了精度和自動化程度，也限制了激光的應(yīng)用。使用單片機(jī)對激光電源進(jìn)行控制，能簡化激光電源的硬件結(jié)構(gòu)，有效地解決半導(dǎo)體激光器工作的準(zhǔn)確、穩(wěn)定和可靠性等問題。隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展，采用適合LD的芯片可使電源可靠性得到極大提高[4,5]。 系統(tǒng)設(shè)計(jì) 系統(tǒng)框圖見圖1。主要由以下幾部分構(gòu)成。 供電電源：實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)供電電壓(交流22

數(shù)字集成電路在電子產(chǎn)品中使用得十分廣泛，但因其功能及結(jié)構(gòu)的特殊性，如果使用不當(dāng)，極易損壞。下面介紹一下CMOS電路和TTL電路在使用中應(yīng)注意的事項(xiàng)。CMOS集成電路使用注意事項(xiàng)(1)CMOS電路的柵極與基極之間有一層絕緣的二氧化硅薄層，厚度僅為0.1~0.2μm。由于CMOS電路的輸入阻抗很高，而輸人電容又很小，當(dāng)不太強(qiáng)的靜電加在柵極上時，其電場強(qiáng)度將超過1O5V/cm]。這樣強(qiáng)的電場極易造成柵極擊穿，導(dǎo)致永久性損壞。因此防止靜電對保護(hù)CMOS集成電路是很重要的，要求在使用時注意以下兒點(diǎn):①人體能感應(yīng)出幾十伏的交流電壓，人衣服的摩擦也會產(chǎn)生上千伏的靜電，故盡量不要用手接觸CMOS電路的引腳。②焊接時宜使用20W內(nèi)熱式電烙鐵，電烙鐵外殼應(yīng)接地。為安全起見，也可先拔下電烙鐵插頭，利用電烙鐵余熱進(jìn)行焊接。焊接的時間不要超過5秒。③長期不便用的CMOS集成電路，應(yīng)用錫紙將全部引腳短路后包裝存放，待使用時再拆除包裝。④更換集成電路時應(yīng)先切斷電源。⑤所有不使用的輸大端不能懸空，應(yīng)按工作性能的要求接電源或接地。⑥使用的儀器及工具應(yīng)良好地接地。(2)電源極性不得接反，否則將會導(dǎo)致CMOS集成電路損壞。使用IC插座時，集成電路引腳的順序不得插反。(3)CMOS集成電路輸出端不允許短路，包括不允許對電源和對地短接。 (4)在CMOS集成電路尚末接通電源時，不允許將輸入信號加到電路的輸入端，必須在加電源的情況下再接通外信號電源，斷開時應(yīng)先關(guān)斷外信號電源。(5)接線時，外圍元件應(yīng)盡量靠近所連引腳，引線應(yīng)盡量短捷。避免使用平行的長引線，以防引人較大的分布電容形成振蕩。若輸入端有長引線和大電容，應(yīng)在靠近C

1．TTL數(shù)字集成電路 TTL是晶體管輸入－晶體管輸出的邏輯電路，它由NPN或PNP型晶體管組成。TTL數(shù)字集成電路主要分為 54/74系列、5411/7411系列、545/745系列、54ALS/74ALS系列等。 （1）74系列 這是早期的產(chǎn)晶，現(xiàn)仍在使用，但逐漸被淘汰。 （2）74H系列 74H系列是74系列的改進(jìn)型。屬于高速TTL產(chǎn)品，其與非門的平均傳輸時間達(dá)10ns左右，但電路的靜態(tài)功 耗較大，目前已不太使用。 （3）745系列 745系列是高速肖特基系列，TTL的三極管、二極管采用肖特基結(jié)構(gòu)，速度較高，但品種比74LS系列少。 （4）74LS系列 74LS系列是低功耗肖特基系列，是當(dāng)前TTI凵類型中的主要產(chǎn)品系列。品種和生產(chǎn)廠家很多，價格較低。 （5）74ALS系列 74ALS系列是先進(jìn)的低功耗肖特基系列，是74LS系列的后繼產(chǎn)品，其速度、功耗等方面都有較大的改進(jìn)， 但價格較高。 （6）74AS系列 74AS系列是745系列的后繼產(chǎn)品，尤其是速度有顯著提高，又稱先進(jìn)超高速肖特基系列。 （7）74F 系列（74Fast 系列） 74F系列是相似于74ALS和74AS的高速型系列產(chǎn)品。 2．CM0S數(shù)字集成電路 CM0S數(shù)字集成電路是由P溝道增強(qiáng)型MOS管和N溝道增強(qiáng)型MOS管，按照互補(bǔ)對稱形式連接起來的。主要分為4000（4500）系列、54HC/74HC系列、54HCT/74HCT系列、54AC/74AC系列、 54ACT/74ACT系列、54AHC/74AHC、54AHCT/74AHCT、54AHCU/74AHCU系列等。 （1）標(biāo)準(zhǔn)型4000B／4500B系列

（1）電源電壓范圍 TTL電路的工作電源電壓范圍很窄。S，LS，F(xiàn)系列為5V±5％；AS，ALS系列為5Y±10％。 （2）頻率特性 TTL電路的工作頻率比4000系列的高。標(biāo)準(zhǔn)TTL電路的工作頻率小于35MHz；LS系列TTL電路的工作頻率小 于40MHz；ALS系列電路的工作頻率小于70MHz；S系列電路的工作頻率小于125MHz；AS系列電路的工作頻率 小于200MHz. （3）TTL電路的電壓輸出特性 當(dāng)工作電壓為十5V時，輸出高電平大于2.4V，輸人高電平大于2.0V；輸出低電平小于0.4V，輸人低電平 小于0.8V。 （4）最小輸出驅(qū)動電流 標(biāo)準(zhǔn)TTL電路為16mA；LS－TTL電路為8mA；S－TTL電路為20mA；ALS－TfL電路為8mA；AS－TTL電路為⒛ mA。大電流輸出的TTL電路：標(biāo)準(zhǔn)TTL電路為48mA；LS－TTL電路為24mA；S－TTL電路為64mA；ALS－TTL電 路為24/48mA；AS－TTL電路為48/64mA。 （5）扇出能力（以帶動LS-TTL負(fù)載的個數(shù)為例） 標(biāo)準(zhǔn)TTL電路為40；IS－TTL電路為20；S－TTL電路為50；ALS-TTL電路為20；AS-TTL電路為50。大電流 輸出的TTL電路：標(biāo)準(zhǔn)TTL電路為120；LS－TTL電路為60；S－TTL電路為160；ALS－TTL電路為60/120；AS －TTL電路為120/160。 對于同一功能編號的各系列TTL集成電路，它們的引腳排列與邏輯功能完全相同。比如，7404，74LS04， 74A504，74F04，74ALS04等各集成電路的引腳圖與邏輯功能完全一致，但

①不允許在超過極限參數(shù)的條件下工作。電路在超過極限參數(shù)的條件下工作，就可能工作不正常，且容 易引起損壞。TTL集成電路的電源電壓允許變化范圍比較窄，一般在4.5～5.5V之間，因此必須使用＋5V穩(wěn) 壓電源；CM0S集成電路的工作電源電壓范圍比較寬，有較大的選擇余地。選擇電源電壓時，除首先考慮到 要避免超過極限電源電壓外，還要注意到，電源電壓的高低會影響電路的工作頻率等性能。電源電壓低， 電路工作頻率會下降或增加傳輸延遲時間。例如CM0S觸發(fā)器，當(dāng)電源電壓由＋15V下降到十3V時，其最高 工作頻率將從10MHz下降到幾十千赫。 ②電源電壓的極性千萬不能接反，電源正負(fù)極顛倒、接錯，會因?yàn)檫^大電流而造成器件損壞。 ③CM0S電路要求輸人信號的幅度不能超過VDD～VSS，即滿足VSS＝V1＝VDD。當(dāng)CM0S電路輸入端施加的電 壓過高（大于電源電壓）或過低（小于0V），或者電源電壓突然變化時，電路電流可能會迅速增大，燒壞器件，這種現(xiàn)象稱為可控硅效應(yīng)。預(yù)防可控硅效應(yīng)的措施主要有： ·輸入端信號幅度不能大于VDD和小于0V； ·消除電源上的干擾； ·在條件允許的情況下，盡可能降低電源電壓，如果電路工作頻率比較低，用＋5V電源供電最好； ·對使用的電源加限流措施，使電源電流被限制在30mA以內(nèi)。 ④對多余輸人端的處理。對于CM0S電路，多余的輸人端不能懸空，否則，靜電感應(yīng)產(chǎn)生的高壓容易引起 器件損壞，這些多余的輸人端應(yīng)該接yDD或yss，或與其他正使用的輸人端并聯(lián)。這3種處置方法，應(yīng)根據(jù) 實(shí)際情況而定。 對于TTL電路，對多余的輸人端允許懸空，懸空時，該端的邏輯輸入狀態(tài)一般都作為“1”對待，

萊迪思半導(dǎo)體公司（ NASDAQ ：LSCC）今日宣布其LatticeECP3™ FPGA系列獲得Electronic Products雜志數(shù)字集成電路“年度產(chǎn)品”稱號。 Electronic Products頒發(fā)的“年度產(chǎn)品”獎是電子行業(yè)最負(fù)盛名且競爭激烈的獎項(xiàng)。該獎項(xiàng)的關(guān)注度如此之高，部分原因是由于該獎項(xiàng)歷史之悠久（過去34年來每年評選一次），以及其評選范圍之廣泛：Electronic Products的編輯評估了2009年度推出的成千上萬的產(chǎn)品并以以下三個標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行嚴(yán)格評比： §技術(shù)或應(yīng)用方面具有重大突破 §創(chuàng)新的設(shè)計(jì) §具有極高的性價比 Electronic Products雜志西海岸編輯，Jim Harrison表示：“我們的結(jié)論是ECP3 FPGA系列為中檔FPGA產(chǎn)品帶來了強(qiáng)大的功能，包括16個兼容10GbE XAUI抖動的3.2 Gbit/s SERDES通道，每個通道僅需110 mw，DDR3接口，高達(dá)6.8 M的存儲器和500 MHz DSP slice，加上更低的工作和待機(jī)功耗，使得ECP3 FPGA成為我們的不二選擇。這正是很多工程師急切希望能在他們的設(shè)計(jì)中使用的器件?！?2009年年度產(chǎn)品獎在2010年1月發(fā)行的Electronic Products雜志上公布，該期雜志給年度產(chǎn)品做了封面特寫并對每個獲選產(chǎn)品進(jìn)行了簡要描述。此外，獲獎的產(chǎn)品還公布在Electronic Products官方網(wǎng)站上. 萊迪思公司副總裁兼高密度解決方案總經(jīng)理，Sean Riley表示：“我們的ECP3 FPGA系列產(chǎn)品已獲得多個獎項(xiàng)，但最令我們高興的還是獲得Elec

摘要:介紹了一種數(shù)字集成電路測試系統(tǒng)的工作原理、組成。提出了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)方案。該系統(tǒng)基于自定義總線結(jié)構(gòu)，可測試電平范圍寬。 關(guān)鍵詞:數(shù)字集成電路 測試功能 測試通道板 精密測量單元 隨著數(shù)字集成電路的廣泛應(yīng)用，測試系統(tǒng)就顯得越來越重要。在網(wǎng)絡(luò)化集成電路可靠性試驗(yàn)及測試系統(tǒng)項(xiàng)目中，需要檢驗(yàn)?zāi)承┚哂袑掚娖椒秶能娪?span style=" color:green;">數(shù)字集成電路芯片，而市場上常見的中小型測試系統(tǒng)可測電平范圍達(dá)不到要求，而大型測試系統(tǒng)價格昂貴。本文介紹了為此項(xiàng)目研制的一種數(shù)字集成電路測試系統(tǒng)，可測電平范圍達(dá)±32V，使用方便，且成本較低。 測試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及工作原理 系統(tǒng)需要對集成電路進(jìn)行功能測試和直流參數(shù)測試。功能測試通過向集成電路輸入端施加設(shè)定的測試向量，檢測并比較其輸出的測試向量，從而驗(yàn)證器件的邏輯功能是否正常。直流參數(shù)測試是以電壓或電流的形式驗(yàn)證集成電路的電氣參數(shù)，要保證較高的測試精度。 為了使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)靈活，便于升級，采用了基于總線的模塊化結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。系統(tǒng)由通道板、數(shù)控電源板（DPS板）、精密測量單元板（PMU板）、測試接口板、單片機(jī)系統(tǒng)板（CPU板）和總線板組成。各個板卡通過總線板進(jìn)行數(shù)據(jù)連接和交換。DPS板給測試系統(tǒng)提供電源、電壓參考，給被測器件(DUT)提供工作電壓。測試接口板功能是給DUT提供測試接口，給器件上電。 精密測量單元 精密測量單元（PMU）是系統(tǒng)精密測量直流參數(shù)的基本單元。系統(tǒng)采用12位A/D和D/A轉(zhuǎn)換器、分檔以及開爾文接法等手段來實(shí)現(xiàn)高精度測量。PMU可實(shí)現(xiàn)加壓測流(FVMI)和加流測壓(FIMV)兩種工作方式。其中PMU中加壓測流原理圖如圖3所示。V

摘 要: 介紹了一種數(shù)字集成電路測試系統(tǒng)的工作原理、組成。提出了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)方案。該系統(tǒng)基于自定義總線結(jié)構(gòu)，可測試電平范圍寬。 關(guān)鍵詞: 數(shù)字集成電路測試 功能測試 通道板 精密測量單元 隨著數(shù)字集成電路的廣泛應(yīng)用，測試系統(tǒng)就顯得越來越重要。在網(wǎng)絡(luò)化集成電路可靠性試驗(yàn)及測試系統(tǒng)項(xiàng)目中，需要檢驗(yàn)?zāi)承┚哂袑掚娖椒秶能娪?span style=" color:green;">數(shù)字集成電路芯片，而市場上常見的中小型測試系統(tǒng)可測電平范圍達(dá)不到要求，而大型測試系統(tǒng)價格昂貴。本文介紹了為此項(xiàng)目研制的一種數(shù)字集成電路測試系統(tǒng)，可測電平范圍達(dá)±32V，使用方便，且成本較低。 測試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及工作原理 系統(tǒng)需要對集成電路進(jìn)行功能測試和直流參數(shù)測試。功能測試通過向集成電路輸入端施加設(shè)定的測試向量，檢測并比較其輸出的測試向量，從而驗(yàn)證器件的邏輯功能是否正常。直流參數(shù)測試是以電壓或電流的形式驗(yàn)證集成電路的電氣參數(shù)，要保證較高的測試精度。 為了使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)靈活，便于升級，采用了基于總線的模塊化結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。系統(tǒng)由通道板、數(shù)控電源|穩(wěn)壓器板（DPS板）、精密測量單元板（PMU板）、測試接口板、單片機(jī)系統(tǒng)板（CPU板）和總線板組成。各個板卡通過總線板進(jìn)行數(shù)據(jù)連接和交換。DPS板給測試系統(tǒng)提供電源、電壓參考，給被測器件(DUT)提供工作電壓。測試接口板功能是給DUT提供測試接口，給器件上電。 在功能測試過程中，計(jì)算機(jī)把預(yù)先生成的測試向量送到單片機(jī)系統(tǒng)，單片機(jī)控制通道板把信號電平轉(zhuǎn)換為測試所需的電平，并把轉(zhuǎn)換后的時序波形施加到待測器件（DUT）的輸入管腳上，然后檢測DUT的輸出，把檢測結(jié)果通過總線傳到單片機(jī)進(jìn)行判斷處理。直流參數(shù)測試過程是向DU

為了制作和使用上的方便，國家有關(guān)部門參照國際標(biāo)準(zhǔn)，制定了國產(chǎn)集成電路的技術(shù)指標(biāo)——電參數(shù)和極限參數(shù)及其嚴(yán)格的測試方法。限于篇幅，這里僅就數(shù)字電路、運(yùn)算放大器主要參數(shù)的意義進(jìn)行說明，各項(xiàng)參數(shù)的測試電路及測試方法請讀者參閱有關(guān)書籍。至于電視、音響等專用集成電路，因型號太多且其絕大部分參數(shù)及測試方法因電路不同而各異，難以統(tǒng)一。因此，對這類集成電路不作介紹。 數(shù)字集成電路電參數(shù)： 由于CMOS集成電路具有消耗功率低、工作電壓范圍寬及噪聲容限大等特點(diǎn)，近幾年發(fā)展異常迅速，它和’ITL集成電路一起，共同組成了目前通用數(shù)字電路的兩大系列產(chǎn)品。 在9m系列產(chǎn)品中，H系列和L系列產(chǎn)品已失去發(fā)展勢頭，標(biāo)準(zhǔn)型TIZ系列已被性能優(yōu)越的IZ—TFL系列所取代；與此相反，曾一度認(rèn)為工作速度慢的CMOS集成電路；現(xiàn)在已有了改進(jìn)這一缺點(diǎn)后的74HC系列產(chǎn)品，幾乎實(shí)現(xiàn)了與TFL集成電路相同的工作速度。這是最新超大規(guī)模集成電路技術(shù)應(yīng)用于通用型數(shù)字集成電路的結(jié)果，目前大有取代TFL，集成電路的發(fā)展趨勢。鑒于這些原因，下面主要介紹CMOS集成電路的電特性。 (1)靜態(tài)參數(shù)(GB3834—1983) ①輸入高電平電壓UIH：使輸出端為規(guī)定值時，輸入端所施加的最小高電平電壓。 ②輸入低電平電壓UIL：使輸出端為規(guī)定值時，輸入端所施加的最大低電平電壓。 ③輸出高電平電壓UOH：輸入端在施加規(guī)定的電平下，使輸出端為邏輯高電平"時的電壓， ④輸出低電平電壓UOL：輸入端在施加規(guī)定的電平下，使輸出端為邏輯低電平工時的電壓。 ⑤輸入高電平電流IIH：輸入端施加規(guī)定的高電平電壓Um時流人器件的電流。 ⑥輸入低電

隨著數(shù)字集成電路的應(yīng)用日益廣泛,數(shù)字電路產(chǎn)品的種類愈來愈多，其分類方法若按用途來分，可分成通用型的集成電路（中小規(guī)模集成電路）產(chǎn)品，微處理（MPU）產(chǎn)品和特定用途的集成電路產(chǎn)品三大類。其中可編程邏輯器件就是特定用途產(chǎn)品的一個重要分支。按邏輯功能來分，可以分成組合邏輯電路（也稱組合電路），如門電路，編譯碼器等；時序邏輯電路，如觸發(fā)器、計(jì)數(shù)器、寄存器等。按電路結(jié)構(gòu)來分，可分成TTL型和CMOS型兩大類。 常用的TTL54／74數(shù)字電路系列，它們的電源電壓都是5.OV，邏輯“0”輸出電壓為≤0.2V，邏輯“l(fā)”輸出電壓為≥3.OV而抗擾度為1.OV。 CMOS數(shù)字集成電路與TTL型數(shù)字電路相比，前者的工作電源電壓范圍寬，靜態(tài)功耗低、抗干擾能力強(qiáng)、輸入阻抗高。工作電壓范圍為3－18V（也有7－15V的，如國產(chǎn)的C000系列），輸人端均有保護(hù)二極管和串聯(lián)電阻構(gòu)成的保護(hù)電路，輸出電流（指內(nèi)部各獨(dú)立功能的輸出端）一般是10mA，所以在實(shí)際應(yīng)用時輸出端需要加上驅(qū)動電路，但輸出端若連接的是CMOS電路，則因CMOS電路的輸入阻抗高，在低頻工作時，一個輸出端可以帶動50個以上的接入端。CMOS電路抗干擾能力是指電路在干擾噪聲的作用下，能維持電路原來的邏輯狀態(tài)并正確進(jìn)行狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。電路的抗干擾能力通常以噪聲容限來表示，即直流電壓噪聲容限、交流（指脈沖）噪聲容限和能量噪聲（指輸人端積累的噪聲能量）三種。直流噪聲容限可達(dá)電源電壓的40％以上，所以使用的電源電壓越高，抗干擾能力越強(qiáng)。這是工業(yè)中使用CMOS邏輯電路時，都采用較高的供電電壓的原因。TTL相應(yīng)的噪聲容限只有0.8V（因TTL工作電壓為5V）。

TC358775XBG新來自Toshiba數(shù)字集成電路；新入庫存91200PCS;NECUPA1873GR-9JG-E1-A9,000 3K/reelNECUPD16315GB-3BS-A450 450/BOXNECUPD16326AGB-3B4-A3,150 450/BOXNECUPD78F0361GB-UEU-A800 TRAYRENESASUPD78F0058GC-8BT-A2,700 TRAYNECUPD78F9222MC-5A4-E2-A10,000 2.5K/reelRENESASPS2561DL-1Y-V-F3-A (H rank)6,000 2K/reelRENESASPS2801-4-F3-A5,000 2.5K/reelRENESASPS2805-4-F3-A5,000 2.5K/reelRENESASPS2701A-1-F3-A1400003500/reelRENESASPS2801C-425002500/reelRENESASPS2805C-110003500/reelRENESASPS2801C-11500003500/reelRENESASPS2801-1-F3-A420003500/reelTOSHIBATA8266HQ500 BULKTOSHIBATB62779FNG(O,EL)100 Tape CutTOSHIBATB6549FG(O,EL)2,000 1K/reelTOSHIBATB6643KQ

TC358749XBG東芝CMOS數(shù)字集成電路硅單片、進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 盡在-宇集芯電子概述HDMI-RX到MIPI CSI-2-TX是一個橋接設(shè)備，可以將HDMI？流到MIPI？CSI-2，同時提供去隔行（用于測試目的）和自動縮放功能。TC358749XBG型與TC358779XBG共享相同的80針封裝。特征HDMI-RX接口HDMI 14億支持視頻格式（最高1080p@60fps）RGB，YCbCr444:60幀/秒時24 bppYCbCr422 24 bpp，每秒60幀音頻支持內(nèi)部音頻PLL跟蹤N/CTS值由ACR數(shù)據(jù)包傳輸。三維支撐HDCP1.4a支持（可選）EDID支持A版，第1版（2000年2月9日）前128字節(jié)（EDID 1.3結(jié)構(gòu)）第一個E-EDID擴(kuò)展名：128字節(jié)的CEA擴(kuò)展版本3（在CEA-861-D中指定）嵌入式1K字節(jié)SRAM（SRAM EDID）最大HDMI時鐘速度：165MHz不支持音頻返回路徑和HDMI以太網(wǎng)通道CSI-2tx接口符合MIPI CSI-2（11月22日1.1版）2011年）支持多達(dá)4個數(shù)據(jù)通道，每通道1Gbps支持視頻數(shù)據(jù)格式RGB888、RGB666、YCbCr422*16和24位YCbCr44型I2C從機(jī)接口支持正常（100 kHz）、快速模式（400）kHz）和超快模式（2 MHz）配置所有TC358749 XBG內(nèi)部寄存器支架2 I2C從機(jī)地址（7'h0F&7'h1F）通過引導(dǎo)帶引腳選擇（內(nèi)部）音頻輸出接口四個音頻接口中的任何一個都可用：I2S、TDM、IEC60958或SLIMbus（引腳為多路復(fù)用）