3DU系列硅光敏三極管適用于近紅外光探測器、光耦合、編碼器、特性識(shí)別電路、過程控制電路及激光接收電路等。3DU系列硅光敏三極管的主要特性參數(shù)見表。 表：3DU系列硅光敏三極管主要特性參數(shù)

過去，人們對(duì)用于節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器三極管參數(shù)的要求定位是不清晰的。除了BVceo、BVcbo、Iceo、hFE、Vces、Ic等常規(guī)參數(shù)要求之外，低頻管只有特征頻率的要求(一般在幾兆數(shù)量級(jí))。但是，特征頻率是對(duì)正弦波線性放大的要求，與開關(guān)工作狀態(tài)下三極管開關(guān)參數(shù)不是一個(gè)概念。另外，由于認(rèn)識(shí)水平和國內(nèi)硬件條件的限制，妨礙了人們對(duì)燈用三極管的參數(shù)進(jìn)行有效的控制和鑒別。本文試圖將節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器用三極管的選擇做一些總結(jié)，以便充分了解應(yīng)用過程中三極管的損壞機(jī)制。 完整的功率容限曲線 降低三極管的發(fā)熱損耗 放大倍數(shù)hFE和貯存時(shí)間ts 完整的功率容限曲線 功率容限(SOA)是一個(gè)曲線包圍的區(qū)域(圖1)，當(dāng)加在三極管上的電壓、電流坐標(biāo)值超過曲線范圍時(shí)，三極管將發(fā)生功率擊穿而損壞。在實(shí)際應(yīng)用中，某些開關(guān)電源線路負(fù)載為感性，三極管關(guān)斷后，電感負(fù)載產(chǎn)生的自感電勢反峰電壓加在三極管的CE極之間，三極管必須有足夠的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受這樣的反壓。 必須注意：目前一般三極管使用廠家不具備測試SOA的條件，即使是有條件的半導(dǎo)體三極管生產(chǎn)廠家，具備測試該指標(biāo)的能力，但是儀器測試出的往往只是安全工作區(qū)邊界點(diǎn)上的數(shù)值，而不是SOA曲線的全部。這樣就有可能出現(xiàn)：在一點(diǎn)上SOA值完全一樣的兩對(duì)三極管，實(shí)際線路上使用過程中，一對(duì)三極管損壞了，而另外一對(duì)卻沒有損壞。 因此，在選擇燈用三極管的過程中，一定要找到器件生產(chǎn)廠家提供的完整SOA曲線。 降低三極管的發(fā)熱損耗 目前，節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器普遍采用上下管輪流導(dǎo)通工作的線路，電感負(fù)載產(chǎn)生的自感電勢反峰電壓經(jīng)由導(dǎo)通管

                  來源：新浪網(wǎng)         完整的功率容限曲線          降低三極管的發(fā)熱損耗          放大倍數(shù)hFE和貯存時(shí)間ts          功率容限(SOA)是一個(gè)曲線包圍的區(qū)域(圖1)，當(dāng)加在三極管上的電壓、電流坐標(biāo)值超過曲線范圍時(shí)，三極管將發(fā)生功率擊穿而損壞。在實(shí)際應(yīng)用中，某些開關(guān)電源線路負(fù)載為感性，三極管關(guān)斷后，電感負(fù)載產(chǎn)生的自感電勢反峰電壓加在三極管的CE極之間，三極管必須有足夠的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受這樣的反壓。          必須注意：目前一般三極管使用廠家不具備測試SOA的條件，即使是有條件的半導(dǎo)體三極管生產(chǎn)廠家，具備測試該指標(biāo)的能力，但是儀器測試出的往往只是安全工作區(qū)邊界點(diǎn)上的數(shù)值，而不是SOA曲線的全部。這樣就有可能出現(xiàn)：在一點(diǎn)上SOA值完全一樣的兩對(duì)三極管，實(shí)際線路上使用過程中，一對(duì)三極管損壞了，而另外一對(duì)卻沒有損壞。          因

型號(hào)材料與極性Pcm(W)Icm(mA)BVcbo(V)ft(MHz)3DG6CSI-NPN0.12045>1003DG7CSI-NPN0.5100>60>1003DG12CSI-NPN0.730040>3003DG111SI-NPN0.4100>20>1003DG112SI-NPN0.410060>1003DG130CSI-NPN0.8300601503DG201CSI-NPN0.152545150C9011SI-NPN0.43050150C9012SI-PNP0.625-500-40C9013SI-NPN0.62550040C9014SI-NPN0.4510050150C9015SI-PNP0.45-100-50100C9016SI-NPN0.42530620C9018SI-NPN0.450301.1GC8050SI-NPN11.5A40190C8580SI-PNP1-1.5A-402002N5551SI-NPN0.6256001802N5401SI-PNP0.625-6001601002N4124SI-NPN0.62520030300

三極管在電路中工作一段時(shí)間以后，線路元器件會(huì)發(fā)熱(包括管子本身的發(fā)熱)，溫度不斷上升導(dǎo)致三極管hFE增大，開關(guān)性能變差，二次擊穿特性下降。反過來，進(jìn)一步促使管子發(fā)熱量增大，這樣的惡性循環(huán)最終導(dǎo)致三極管擊穿燒毀。因此，降低三極管本身的發(fā)熱損耗是提高三極管使用可靠性的重要措施。 實(shí)驗(yàn)表明：晶體管截止?fàn)顟B(tài)的功耗很小；導(dǎo)通狀態(tài)的耗散占一定比例，但變化余地不大。晶體管耗散主要發(fā)生在由飽和向截止和由截止向飽和的過渡時(shí)期，而且與線路參數(shù)的選擇及三極管的上升時(shí)間tr、下降時(shí)間tf有很大關(guān)系。 最近幾年，業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器專用三極管都充分注意到降低產(chǎn)品的開關(guān)損耗，例如，國產(chǎn)BUL6800系列產(chǎn)品在優(yōu)化MJE13000系列產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，大幅提高了產(chǎn)品的開關(guān)損耗性能。 此外，控制磁環(huán)參數(shù)也有利于控制損耗。因?yàn)榇怒h(huán)參數(shù)的變化會(huì)引起三極管Ib的變化，影響三極管上升和下降時(shí)間。三極管過驅(qū)動(dòng)可以造成三極管嚴(yán)重發(fā)熱燒毀，而三極管驅(qū)動(dòng)不足，則可能造成三極管冷態(tài)啟動(dòng)時(shí)瞬時(shí)擊穿損壞。 放大倍數(shù)hFE和貯存時(shí)間ts 三極管的hFE參數(shù)與貯存時(shí)間ts相關(guān)，一般hFE大的三極管ts也較大，過去人們對(duì)ts的認(rèn)識(shí)以及ts的測量儀器均較為欠缺，人們更依賴hFE參數(shù)來選擇三極管。 在開關(guān)狀態(tài)下，hFE的選擇通常有以下認(rèn)識(shí)：第一、hFE應(yīng)盡可能高，以便用最少的基極電流得到最大的工作電流，同時(shí)給出盡可能低的飽和電壓，這樣就可以同時(shí)在輸出和驅(qū)動(dòng)電路中降低損耗。 但是，如果考慮到開關(guān)速度和電流容限，則hFE的最大值就受到限制；第二、中國的廠家曾經(jīng)傾向于選用hFE較小的器件，例如hFE為10到15，

一、晶體管基礎(chǔ) 雙極結(jié)型三極管相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極管PN結(jié)。正向偏置的EB結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其中大部分空穴能夠到達(dá)集電結(jié)的邊界，并在反向偏置的CB結(jié)勢壘電場的作用下到達(dá)集電區(qū)，形成集電極電流IC。在共發(fā)射極晶體管電路中,發(fā)射結(jié)在基極電路中正向偏置,其電壓降很小。絕大部分的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結(jié)上。由于VBE很小，所以基極電流約為IB=5V/50kΩ=0.1mA。 如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=IC/IB=100,集電極電流IC=β*IB=10mA。在500Ω的集電極負(fù)載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個(gè)交變的小電流ib，在集電極電路中將出現(xiàn)一個(gè)相應(yīng)的交變電流ic，有c/ib=β，實(shí)現(xiàn)了雙極晶體管的電流放大作用。 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)，在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來進(jìn)行工作的。當(dāng)柵G電壓VG增大時(shí)，p型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當(dāng)表面達(dá)到反型時(shí)，電子積累層將在n+源區(qū)S和n+漏區(qū)D之間形成導(dǎo)電溝道。當(dāng)VDS≠0時(shí)，源漏電極之間有較大的電流IDS流過。使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)所需加的柵源電壓稱為閾值電壓VT。當(dāng)VGS>VT并取不同數(shù)值時(shí)，反型層的導(dǎo)電能力將改變，在相同的VDS下也將產(chǎn)生不同的IDS,實(shí)現(xiàn)柵源電壓VGS對(duì)源漏電流IDS的控制。 二、晶體管的命名方法 晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號(hào)BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按

2SA1006B SI-P 250V 1.5A 25W 80MHz2SA1009 SI-P 350V 2A 15W | 2SA1011 SI-P 160V 1.5A 25W 120MHz2SA1013 SI-P 160V 1A 0.9W 50MHz | 2SA1015 SI-P 50V 0.15A 0.4W 80MHz2SA1016 SI-P 100V 0.05A 0.4W 110MHz | 2SA1017 SI-P 120V 50mA 0.5W 110MHz2SA1018 SI-P 250V 70mA 0.75W >50MHz | 2SA1020 SI-P 50V 2A 0.9W 100MHz2SA1027 SI-P 50V 0.2A 0.25W 100MHz | 2SA1029 SI-P 30V 0.1A 0.2W 280MHz2SA1034 SI-P 35V 50mA 0.2W 200MHz | 2SA1037 SI-P 50V 0.4A 140MHz FR2SA1048 SI-P 50V 0.15A 0.2W 80MHz | 2SA1049 SI-P 120V 0.1A 0.2W 100MHz2SA1061 SI-P 100V 6A 70W 15MHz | 2SA1062 SI-N 120V 7A 80W 15MHz2SA1065 SI-P 150V 10A 120W 50MHz | 2SA1084 SI-P 90V 0.1A 0.4W 90MHz2SA1103 SI-P 100V 7A 70W 20MHz | 2SA1106 SI-P 140V 10A 100W 2

2SB1009 SI-P 40V 2A 10W 100MHz | 2SB1010 SI-P 40V 2A 0.75W 100MHz2SB1012K P-DARL 120V 1.5A 8W | 2SB1013 SI-P 20V 2A 0.7W2SB1015 SI-P 60V 3A 25W 0.4us | 2SB1016 SI-P 100V 5A 30W 5MHz2SB1017 SI-P 80V 4A 25W 9MHz | 2SB1018 SI-P 100V 7A 30W 0.4us2SB1020 P-DARL+D 100V 7A 30W 0.8us | 2SB1023 P-DARL+D 60V 3A 20W B=5K2SB1035 SI-P 30V 1A 0.9W 100MHz | 2SB1039 SI-P 100V 4A 40W 20MHz2SB1050 SI-P 30V 5A 1W 120MHz | 2SB1055 SI-P 120V 6A 70W 20MHz2SB1065 SI-P 60V 3A 10W | 2SB1066 SI-P 50V 3A 1W 70MHz2SB1068 SI-P 20V 2A 0.75W 180MHz | 2SB1071 SI-P 40V 4A 25W 150MHz2SB1077 P-DARL 60V 4A 40W B>1K | 2SB1086 SI-P 160V 1.5A 20W 50MHz2SB1098 P-DARL+D 100V 5A 20W B=80 | 2SB1099 P-DARL+D 100V 8A 25W B=6K2SB1100 P

2SC1000 SI-N 55V 0.1A 0.2W 80MHz2SC1008 SI-N 80V 0.7A 0.8W 75MHz | 2SC1012A SI-N 250V 60mA 0.75W >80MHz2SC1014 SI-N 50V 1.5A 7W | 2SC1017 SI-N 75V 1A 60mW 120MHz2SC1030 SI-N 150V 6A 50W | 2SC1046 SI-N 1000V 3A 25W2SC1047 SI-N 30V 20mA 0.4W 650MHz | 2SC1050 SI-N 300V 1A 40W2SC1051 SI-N 150V 7A 60W 8MHz | 2SC1061 SI-N 50V 3A 25W 8MHz=H1062SC1070 SI-N 30V 20mA 900MHz | 2SC1080 SI-N 110V 12A 100W 4MHz2SC109 SI-N 50V 0.6A 0.6W | 2SC1096 SI-N 40V 3A 10W 60MHz2SC1106 SI-N 350V 2A 80W | 2SC1114 SI-N 300V 4A 100W 10MHz2SC1115 SI-N 140V 10A 100W 10MHz | 2SC1116 SI-N 180V 10A 100W 10MHz2SC1161 SI-P 160V 12A 120W | 2SC1162 SI-N 35V 1.5A 10W 180MHz2SC1172 SI-N 1500V 5A 50W | 2SC1195 SI-N 200V 2.5A 100W2

2SD1010 SI-N 50V 50mA 0.3W 200MHz2SD1012 SI-N 20V 0.7A 0.25W 250MHz | 2SD1018 SI-N 250V 4A 80W B>2502SD1027 N-DARL+D 20V 15A 100W B>1 | 2SD1033 SI-N 200V 2A 20W 10MHz2SD1036 SI-N 150/120V 15A 150W | 2SD1047 SI-N 160V 12A 100W 15MHz2SD1048 SI-N 20V 0.7A 0.25W 250MHz | 2SD1049 SI-N 120V 25A 100W2SD1051 SI-N 50V 1.5A 1W 150MHz | 2SD1055 SI-N 40V 2A 0.75W 100MHz2SD1062 SI-N 60V 12A 40W 10MHz | 2SD1064 SI-N 60V 12A 80W2SD1065 SI-N 60V 15A 90W | 2SD1073 N-DARL 300V 4A 40W B>1K2SD1088 N-DARL 300V 6A 30W B>2000 | 2SD1113K N-DARL+D 300V 6A 40W2SD1128 N-DARL 150V 5A 30W | 2SD1135 SI-N 80V 4A 40W2SD1138 SI-N 200V 2A 30W | 2SD1140 N-DARL 30V 1.5A 0.9W2SD1145 SI-N 60V 5A 0.9W 120MHz | 2SD1148 SI-N 140V

過去，人們對(duì)用于節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器三極管參數(shù)的要求定位是不清晰的。除了BVceo、BVcbo、Iceo、hFE、Vces、Ic等常規(guī)參數(shù)要求之外，低頻管只有特征頻率的要求(一般在幾兆數(shù)量級(jí))。但是，特征頻率是對(duì)正弦波線性放大的要求，與開關(guān)工作狀態(tài)下三極管開關(guān)參數(shù)不是一個(gè)概念。另外，由于認(rèn)識(shí)水平和國內(nèi)硬件條件的限制，妨礙了人們對(duì)燈用三極管的參數(shù)進(jìn)行有效的控制和鑒別。本文試圖將節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器用三極管的選擇做一些總結(jié)，以便充分了解應(yīng)用過程中三極管的損壞機(jī)制。完整的功率容限曲線降低三極管的發(fā)熱損耗放大倍數(shù)hFE和貯存時(shí)間ts完整的功率容限曲線功率容限(SOA)是一個(gè)曲線包圍的區(qū)域(圖1)，當(dāng)加在三極管上的電壓、電流坐標(biāo)值超過曲線范圍時(shí)，三極管將發(fā)生功率擊穿而損壞。在實(shí)際應(yīng)用中，某些開關(guān)電源線路負(fù)載為感性，三極管關(guān)斷后，電感負(fù)載產(chǎn)生的自感電勢反峰電壓加在三極管的CE極之間，三極管必須有足夠的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受這樣的反壓。 點(diǎn)擊此處查看全部新聞圖片 必須注意：目前一般三極管使用廠家不具備測試SOA的條件，即使是有條件的半導(dǎo)體三極管生產(chǎn)廠家，具備測試該指標(biāo)的能力，但是儀器測試出的往往只是安全工作區(qū)邊界點(diǎn)上的數(shù)值，而不是SOA曲線的全部。這樣就有可能出現(xiàn)：在一點(diǎn)上SOA值完全一樣的兩對(duì)三極管，實(shí)際線路上使用過程中，一對(duì)三極管損壞了，而另外一對(duì)卻沒有損壞。因此，在選擇燈用三極管的過程中，一定要找到器件生產(chǎn)廠家提供的完整SOA曲線。降低三極管的發(fā)熱損耗目前，節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器普遍采用上下管輪流導(dǎo)通工作的線路，電感負(fù)載產(chǎn)生的自感電勢反峰電壓經(jīng)由導(dǎo)通管泄放，所以普遍感

型號(hào) 極性 用途 V A W 工作頻率 β 代換型號(hào) BC547 NPN Uni 50 0.2 0.5 300 75-900 BC557 BC548 NPN / / / / / / / BD371C NPN NF-Tr/E 80 1.5 2.5 / / / BFG91A NPN UHF/MW-ra 15 0.035 0.3 6000 / / BFR91A NPN UHF-A / / / 5000 / / BFR96 NPN UHF-A/Tr / / / 5000 / / C1213 NPN Uni 35 0.5 0.4 / / A673 C124 NPN Uni 40 0.025 / 200 / / C1507 NPN Vid 300 0.2 15 / / / C1547 NPN UHF 30 0.02 / 900 / / C1573 NPN Vid 250 0.07 0.6 / / / C1583 NPN Dual-ra 50 0.1 / 100 / / C1675 NPN

型號(hào) 極性 用途 V A W 工作頻率 β 代換型號(hào) 5610 PNP NF-Tr 50 0.8 0.625 / / 5609 8550 PNP / 50 0.8 0.625 300 85-300 8050 9012 PNP / 40 0.5 0.625 / 64-202 / 9015 PNP / 50 0.1 0.45 190 60-600 / 2N2222 PNP NF/S-L 40 2 2 / / / 2N5401 PNP NF-Tr 160 0.6 0.31 / / / 2N6520 PNP Uni 60/40 0.6 0.4 / 100-300 / 2N6726 PNP / 50 0.15 0.4 80 / / 2N6732 PNP NF/S-L 100 1 2 / / 2N6731 A1013 PNP Vid 160 1 0.9 / / C2383 A1015 PNP Uni 50 0.15 0.4 / / C1815 A1020 PNP NF/S 50 2 0.9 / / C

型號(hào) 極性 用途 V A W β/kpl C3074 NPN S-L 60 5 20 A1243 C3150 NPN S-L 900 3 50 / C3303 NPN S-L 100 5 20 / C3310 NPN S-L 500 5 40 / C3675 NPN S-L 1500 0.1 10 / C3807 NPN NF-L 30 2 15 / C3953 NPN Vid 120 0.2 8 A1538/4KMHz C4020 NPN S-L 900 3 50 / C4106 NPN S-L 500 7 50 / C4242 NPN SS-L 450 7 40 / C4810 NPN Darl-SS 100 5 1.8 2K-20K C4834 NPN SS-L 500 8 45 / C5249 NPN / / / / / D1066 NPN Darl-L 600 100 770 / D1071 NPN Darl-L 300 6 40 / D1088 NPN Darl-L 4

型號(hào) 極性 用途 V A W β/kpl 2N6718V PNP Vid 160 0.6 0.31 / A1008 PNP NF/S-L 100 2 15 C2331 A1009 PNP NF/S-L 350 2 15 / A1010 PNP NF/S-L 100 7 40 C2334 A1244 PNP NF-L 60 5 20 C3074 A1396 PNP S-L 100 10 30 C3568 A1441 PNP S-L 100 5 25 / A1443 PNP S-L 100 10 30 / A1444 PNP S-L 100 15 30 / A940 PNP NF/S-L 150 1.5 25 C2073 B1096 PNP NF/S-L 200 2 25 D1264 B1151 PNP NF/S-L 60 5 20 D1691 B1185 PNP NF-L 60 3 25 D1762 B1416 PNP NF-L 60 3 1.5 / B511 PNP NF/S-L 35 1.5 10 /

型號(hào) 材料與極性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190 C8580 SI-PNP

完整的功率容限曲線 降低三極管的發(fā)熱損耗 放大倍數(shù)hFE和貯存時(shí)間ts 功率容限(SOA)是一個(gè)曲線包圍的區(qū)域(圖1)，當(dāng)加在三極管上的電壓、電流坐標(biāo)值超過曲線范圍時(shí)，三極管將發(fā)生功率擊穿而損壞。在實(shí)際應(yīng)用中，某些開關(guān)電源線路負(fù)載為感性，三極管關(guān)斷后，電感負(fù)載產(chǎn)生的自感電勢反峰電壓加在三極管的CE極之間，三極管必須有足夠的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受這樣的反壓。 必須注意：目前一般三極管使用廠家不具備測試SOA的條件，即使是有條件的半導(dǎo)體三極管生產(chǎn)廠家，具備測試該指標(biāo)的能力，但是儀器測試出的往往只是安全工作區(qū)邊界點(diǎn)上的數(shù)值，而不是SOA曲線的全部。這樣就有可能出現(xiàn)：在一點(diǎn)上SOA值完全一樣的兩對(duì)三極管，實(shí)際線路上使用過程中，一對(duì)三極管損壞了，而另外一對(duì)卻沒有損壞。 因此，在選擇燈用三極管的過程中，一定要找到器件生產(chǎn)廠家提供的完整SOA曲線。 降低三極管的發(fā)熱損耗 目前，節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器普遍采用上下管輪流導(dǎo)通工作的線路，電感負(fù)載產(chǎn)生的自感電勢反峰電壓經(jīng)由導(dǎo)通管泄放，所以普遍感到三極管常溫下SOA值在節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器線路中不十分敏感。而降低三極管的發(fā)熱損耗卻引起了業(yè)界的普遍關(guān)注，這是因?yàn)槿龢O管的二次擊穿容限是隨著溫度的升高而降低的(圖2)。 三極管在電路中工作一段時(shí)間以后，線路元器件會(huì)發(fā)熱(包括管子本身的發(fā)熱)，溫度不斷上升導(dǎo)致三極管hFE增大，開關(guān)性能變差，二次擊穿特性下降。反過來，進(jìn)一步促使管子發(fā)熱量增大，這樣的惡性循環(huán)最終導(dǎo)致三極管擊穿燒毀。因此，降低三極管本身的發(fā)熱損耗是提高三極管使用可靠性的重要措施。 實(shí)驗(yàn)表明：晶體管截止?fàn)顟B(tài)的功耗很小；導(dǎo)通狀態(tài)的耗散占