紅外發(fā)光二極管（Infrared Emitting Diode，簡稱IR LED）是一種能夠發(fā)射紅外光的TPA6211A1DGNR二極管。它是一種特殊的發(fā)光二極管，其發(fā)射波長通常在700納米（近紅外）到1毫米（遠紅外）之間。紅外發(fā)光二極管的工作原理與普通發(fā)光二極管類似，都是基于半導體材料的光電效應。當通電時，紅外發(fā)光二極管中的半導體材料會發(fā)生電子與空穴的復合，產(chǎn)生能量差，從而發(fā)射出紅外光。紅外發(fā)光二極管的基本結(jié)構主要由P型半導體和N型半導體組成，兩者通過一個P-N結(jié)連接在一起。當正向電流流過二極管時，電子從N型半導體向P型半導體流動，空穴從P型半導體向N型半導體流動。當電子與空穴在P-N結(jié)的附近復合時，能量差被釋放出來，形成光子。紅外發(fā)光二極管的發(fā)射波長取決于所使用的半導體材料。常見的半導體材料有砷化鎵（GaAs）、砷化鋁（AlAs）、砷化磷（InP）等。不同的半導體材料具有不同的能帶結(jié)構和能級分布，從而決定了其發(fā)射波長。紅外發(fā)光二極管有著廣泛的應用。以下是幾個常見的應用領域：1、紅外遙控器：紅外發(fā)光二極管被用作發(fā)射器，在紅外遙控器中通過發(fā)送不同的紅外信號來控制電器設備的開關、音量等。2、紅外通信：紅外發(fā)光二極管被用來傳輸數(shù)據(jù)，實現(xiàn)無線通信。例如，紅外線傳輸器可以將電視信號轉(zhuǎn)換為紅外信號，并通過紅外發(fā)光二極管發(fā)送給接收器進行解碼。3、紅外傳感器：紅外發(fā)光二極管可以作為光源，通過接收紅外光的反射來檢測物體的存在。紅外傳感器在安防系統(tǒng)、自動門控制、人體檢測等領域得到廣泛應用。紅外發(fā)光二極管的接收方式有兩種常見的方法：1、直接接收：使用相應的紅外接收器，將紅外發(fā)光二極管發(fā)射的紅外光直

描述CNY17是一對光耦合對砷化鎵紅外發(fā)光二極管光學耦合到硅NPN光電晶體管。可以發(fā)送包括DC電平的信號信息由設備保持高度輸入和輸出之間的電隔離。CNY17可用于替換繼電器和變壓器在許多數(shù)字接口應用中也是如此作為模擬應用，如CRT調(diào)制。特征隔離測試電壓5300 VRMS長期穩(wěn)定性行業(yè)標準雙列直插式封裝無鉛元件元件符合RoHS 2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC機構批準Underwriters Lab File＃E52744系統(tǒng)代碼H或J.DIN EN 60747-5-2（VDE0884）DIN EN 60747-5-5待定BSI IEC60950 IEC60065FIMKO絕對最大額定值除非另有說明，Tamb = 25°C超過絕對最大額定值的應力可能會對器件造成永久性損壞。 該設備的功能操作是并不暗示超出本文件操作部分中給出的這些或任何其他條件。 暴露于絕對長時間的最大額定值會對可靠性產(chǎn)生不利影響。輸入產(chǎn)量耦合器電氣特性除非另有說明，Tamb = 25°C最小值和最大值是測試要求。 典型值是設備的特性，是工程的結(jié)果評價。 典型值僅供參考，不屬于測試要求。輸入產(chǎn)量耦合器電流轉(zhuǎn)移率電流傳輸比和集電極 - 發(fā)射極漏電流的破折號（Tamb°C）開關特性開關操作（飽和）典型特性（除非另有說明，Tamb = 25°C）封裝尺寸，單位為英寸（mm）

紅外遙控器已經(jīng)廣泛使用在彩電、音響系統(tǒng)和各種家用電器中。遙控器的控制距離一般可到6～8米，使用非常方便。因紅外遙控方式用量大，所以其紅外發(fā)射、接收電路均有完整的配套器件，這些器件不僅售價低而且可靠，電路極其簡單。電子愛好者完全可以利用這些器件組裝各種用途的遙控器，不僅實用而且可增加制作的興趣。 1.紅外發(fā)光二極管的特性紅外線是不可見光，人眼是覺察不到的。電子技術中是用紅外發(fā)光二極管(又稱紅外發(fā)射二極管)來產(chǎn)生紅外線。常用的紅外發(fā)光二極管(如SE303· PH303)，其外形和發(fā)光二極管LED相似。三極管BG作開關，當基極上加有驅(qū)動信號時，BG管飽和導通，紅外發(fā)光管D也正向?qū)üぷ?，發(fā)出紅外光(近紅外線約0.93μm)。D的管壓降約1.4V，工作電流一般小于20mA。為了適應不同的工作電壓，D的回路中常串有R2作為D限流電阻。 當用電路發(fā)射紅外線去控制相應的受控裝置時，其控制的距離與D的發(fā)射功率成正比。為了增加紅外線的控制距離，紅外發(fā)光二極管D應工作于脈沖狀態(tài)，即工作電流是脈動的。因為脈動光(調(diào)制光)的有效傳送距離與脈沖的峰值電流成正比，只需盡量提高峰值電流Ip，就能增加紅外光的發(fā)射距離。提高Ip的方法，是減小脈沖占空比，即壓縮脈沖的寬度τ，如圖10所示。一些彩電紅外遙控器，其紅外發(fā)光管的工作脈沖占空比約為1/4～1/3;一些電氣產(chǎn)品紅外遙控器，其占空比是1/10。減小脈沖占空比還可使小功率紅外發(fā)光二極管的發(fā)射距離大大增加。常見的紅外發(fā)光二極管，其功率分為小功率(1mW～10mW)、中功率(20mW～50mW)和大功率(50mW～100mW以上)三大類。使用不同功率的紅外

普通發(fā)光二極管與紅外發(fā)光二極管的區(qū)別方法用萬用表的Rx1O0擋，測量待區(qū)分的普通發(fā)光二極管和紅外發(fā)光二極管的正、反向電阻，其中正、反向電阻均接近無窮大的就為普通發(fā)光二極管，其正向電阻為30kΩ左右，反向電阻為5OOkΩ以上的就為紅外發(fā)光二極管。因為普通發(fā)光二極管的起始電壓為1.6-2V，紅外發(fā)光二極管的起始電壓為1-1.3V。 常見的紅外發(fā)光二極管有HG型、GL型、SIR型、SIM型、HIR型。表1、表2為GL和HG型紅外發(fā)光二極管主要參數(shù)供選用時參考。 表1GL型紅外發(fā)光二極管主要參數(shù) 表2HG型紅外發(fā)光二極管主要參數(shù)

              常用的紅外發(fā)光二極管（如SE303·PH303），其外形和發(fā)光二極管LED相似，發(fā)出紅外光（近紅外線約0.93μm ）。管壓降約1.4V ，工作電流一般小于20mA。為了適應不同的工作電壓，回路中常串有限流電阻。發(fā)射紅外線去控制相應的受控裝置時，其控制的距離與發(fā)射功率成正比。為了增加紅外線的控制距離，紅外發(fā)光二極管工作于脈沖狀態(tài)，因為脈動光（調(diào)制光）的有效傳送距離與脈沖的峰值電流成正比，只需盡量提高峰值Ip，就能增加紅外光的發(fā)射距離。提高Ip 的方法，是減小脈沖占空比，即壓縮脈沖的寬度т，一些彩電紅外遙控器，其紅外發(fā)光管的工作脈沖中空比約為1/4~1/3；一些電氣產(chǎn)品紅外遙控器，其占空比是1/10。減小沖占空比還可使小功率紅外發(fā)光二極管的發(fā)射距離大大增加。常見的紅外發(fā)光二極管，其功率分為小功率（1mW~10mW）、中功率(20mW~50mW)和大功率(50mW~100mW以上)三大類。要使紅外發(fā)光二極管產(chǎn)生調(diào)制光，只需在驅(qū)動管上加上一定頻率的脈沖電壓。用紅外發(fā)光二極管發(fā)射紅外線去控制受控裝置時，受控裝置中均有相應的紅外光一電轉(zhuǎn)換元件，如紅外按收二極管，光電三極管等。實用中已有紅外發(fā)射和接收配對的二極管。紅外線發(fā)射與接收的方式有兩種，其一是直射式，其二是反射式。直射式指發(fā)光管和接收管相對安放在發(fā)射與受控物的兩端，中間相距一定距離；反射式指發(fā)光管和接收管并列一起，平時接收管始終無光照，只在發(fā)光管發(fā)出的紅外光遇到反射物

本文所應用到的相關器件資料：9013 SE303

本文所應用到的相關器件資料：8050 9013

V為驅(qū)動脈沖電壓,驅(qū)動電流為脈沖電流.

本文所應用到的相關器件資料：2N3904 2N3906

紅外燈發(fā)光體是由紅外發(fā)光二極管（LED）矩陣組合而成。 紅外發(fā)光二極管是由紅外輻射效率高的材料制成的PN結(jié)，再外加正向偏壓向PN結(jié)注入電流，從而激發(fā)出紅外光。光譜功率分布為中心波長830nm -- 950nm，半峰帶寬約40nm左右，它是窄帶分布，是普通CCD黑白攝像機可感受的光譜范圍。其最大的優(yōu)點是可以完全無紅暴，或僅有微弱紅暴；另外，紅外發(fā)光二極管還具有壽命長的特點。 紅暴為有可見紅光 ，通常采用940nm～950nm波長的紅外發(fā)光二極管制成的紅外燈，能達到完全無紅暴；采用850nm波長的紅外發(fā)光二極管制成的紅外燈，能達到有輕微紅暴的效果。 常用的紅外發(fā)光二極管（如SE303·PH303），其外形和發(fā)光二極管LED相似，發(fā)出紅外光（近紅外線約0.93μm ）。管壓降約1.4V ，工作電流一般小于20mA。為了適應不同的工作電壓，回路中常串有限流電阻。 發(fā)射紅外線去控制相應的受控裝置時，其控制的距離與發(fā)射功率成正比。為了增加紅外線的控制距離，紅外發(fā)光二極管工作于脈沖狀態(tài)，因為脈動光（調(diào)制光）的有效傳送距離與脈沖的峰值電流成正比，只需盡量提高峰值Ip，就能增加紅外光的發(fā)射距離。提高Ip 的方法，是減小脈沖占空比，即壓縮脈沖的寬度т，一些彩電紅外遙控器，其紅外發(fā)光管的工作脈沖中空比約為1/4~1/3；一些電氣產(chǎn)品紅外遙控器，其占空比是1/10。減小沖占空比還可使小功率紅外發(fā)光二極管的發(fā)射距離大大增加。常見的紅外發(fā)光二極管，其功率分為小功率（1mW~10mW）、中功率(20mW~50mW)和大功率(50mW~100mW以上)三大類。要使紅外發(fā)光二極管產(chǎn)生調(diào)制光，只需在驅(qū)動管上加上

日本科學家日前借量子點(quantumdot)的幫助，成功地制作出以硅基(silicon-based)發(fā)光二極管(LED)，其發(fā)光波段為近紅外光，且其外部量子效率(externalquantumefficiency)高達0.3%。 這個由日本東京大學的SusumuFukatsu等人組成的團隊利用分子束外延技術(molechlarbeamepitaxy)制作出來的組件，主要是在硅基材內(nèi)嵌入應變銻化鎵量子點(strainedGaSbquantumdot)。在絕對溫度11K下，以4V的偏壓時及3.7mA的電流加以驅(qū)動，該組件可以產(chǎn)生波長1.2微米左右的強烈熒光。更有甚者，使用脈沖式電壓驅(qū)動的實驗顯示，該發(fā)光二極管可以接受調(diào)制，因此能用來傳送數(shù)據(jù)。 電子工業(yè)對于高效率且高速的硅基發(fā)光二極管的研發(fā)倍感興趣，原因是它有助于實現(xiàn)微芯片之間的高速光通訊。這方面的最大問題在于硅只具有間接能帶隙(indirectbandgap)，不能自然發(fā)光，因此必須透過摻雜其它材料來達成。稍早STMicroelectronics的作法是在硅里摻雜發(fā)光鉺離子，這個日本研究小組則是使用III-V族量子點來改變硅內(nèi)部的電子行為。 Fukatsu表示，他們的LED擁有0.3%的量子效率及超過10mW的輸出功率，表現(xiàn)雖然不差，但是如果要具有競爭力，必須在室溫之下也能達成類似表現(xiàn)。雖然該小組也成功地在室溫下驅(qū)動這種LED，但是發(fā)光效率卻下降了兩個數(shù)量級。目前該小組正在設法引入更多層的量子點材料，以及增加操作頻寬，以提升LED的效率。

由于紅外發(fā)光二極管，它發(fā)射1～3μm的紅外光，人眼看不到。通常單只紅外發(fā)光二極管發(fā)射功率只有數(shù)mW，不同型號的紅外LED發(fā)光強度角分布也不相同。紅外LED的正向壓降一般為1.3～2.5V。正是由于其發(fā)射的紅外光人眼看不見，所以利用上述可見光LED的檢測法只能判定其PN結(jié)正、反向電學特性是否正常，而無法判定其發(fā)光情況正常否。為此，最好準備一只光敏器件（如2CR、2DR型硅光電池）作接收器。用萬用表測光電池兩端電壓的變化情況。來判斷紅外LED加上適當正向電流后是否發(fā)射紅外光。其測量電路如圖11所示。

常用的紅外發(fā)光二極管（如SE303·PH303），其外形和發(fā)光二極管LED相似，發(fā)出紅外光（近紅外線約0.93μm）。管壓降約1.4V，工作電流一般小于20mA。為了適應不同的工作電壓，回路中常串有限流電阻。 發(fā)射紅外線去控制相應的受控裝置時，其控制的距離與發(fā)射功率成正比。為了增加紅外線的控制距離，紅外發(fā)光二極管工作于脈沖狀態(tài)，因為脈動光（調(diào)制光）的有效傳送距離與脈沖的峰值電流成正比，只需盡量提高峰值Ip，就能增加紅外光的發(fā)射距離。提高Ip的方法，是減小脈沖占空比，即壓縮脈沖的寬度т，一些彩電紅外遙控器，其紅外發(fā)光管的工作脈沖中空比約為1/4~1/3；一些電氣產(chǎn)品紅外遙控器，其占空比是1/10。減小沖占空比還可使小功率紅外發(fā)光二極管的發(fā)射距離大大增加。常見的紅外發(fā)光二極管，其功率分為小功率（1mW~10mW）、中功率(20mW~50mW)和大功率(50mW~100mW以上)三大類。要使紅外發(fā)光二極管產(chǎn)生調(diào)制光，只需在驅(qū)動管上加上一定頻率的脈沖電壓。 用紅外發(fā)光二極管發(fā)射紅外線去控制受控裝置時，受控裝置中均有相應的紅外光一電轉(zhuǎn)換元件，如紅外按收二極管，光電三極管等。實用中已有紅外發(fā)射和接收配對的二極管。 紅外線發(fā)射與接收的方式有兩種，其一是直射式，其二是反射式。直射式指發(fā)光管和接收管相對安放在發(fā)射與受控物的兩端，中間相距一定距離；反射式指發(fā)光管和接收管并列一起，平時接收管始終無光照，只在發(fā)光管發(fā)出的紅外光遇到反射物時，接收管收到反射回來的紅外線才工作。 雙管紅外發(fā)射電路，可提高發(fā)射功率，增加紅外發(fā)射的作用距離。

測試紅外發(fā)光二極管的好壞，可以按照測試普通硅二極管正反向電阻的方法測試。 把萬用表撥在R×100或R×1K擋，黑表筆接紅外發(fā)光二極管正極，紅表筆接負極，測得正向電阻應在20≈40K；黑表筆接紅外發(fā)光二極管負極，紅表筆接正極，測得反向電阻應大于500K以上。測試方法如圖1-1。

俄羅斯 LED Microsensor NT公司，專注于中紅外LED和中紅外光電二極管PD研發(fā)和生產(chǎn) 可直流工作的LED從1000nm - 1700nm,高于這個波長1800nm-2300nm,2700nm-4600nm只能用于脈沖驅(qū)動方式同時提供相應的相應的光電二極管和各種驅(qū)動模塊‍     HAWKEYE公司 有40年的制造紅外光源的經(jīng)驗，提供可靠的高質(zhì)量的，可定制的穩(wěn)態(tài)光源和電可調(diào)制紅外光源。    美國CALSENSORS公司是制造標準或定制PBS硫化鉛和PBSE硫化硒紅外探測器，紅外陣列，和紅外光源的廠家。成立于1986年，歷史悠久。探測器范圍1微米至5.5微米波長范圍。主要應用于光譜學，成像，醫(yī)學，汽車尾氣，氣體分析和蒸汽分析儀器，非接觸溫度測量，火焰檢測和可燃物控制。    美國Helioworks著名紅外光源制造商,生產(chǎn)穩(wěn)態(tài)的，和低頻脈沖紅外光源，各種功率品種齊全，都配有鍍金反射器，能夠最大限度反射紅外光源。    奧地利SENSORE氧氣傳感器制造商，提供極限電流式氧化鋯氧傳感器和配套的變送器?！?nbsp;  德國著名的光電器件提供商，成立于1982年，當前主要供應光電二極管，紅外光源，熱釋電探測器，DLTGS探測器，激光二極管，光子計數(shù)器，光纖光學配套設備。2014年，收購了MICROWA

Vishay的VOMA617A系列有一個GaAlAs紅外發(fā)光二極管，它與一個硅平面光電晶體管檢測器有光學耦合，并被集成在一個4針的微型扁平封裝中。它具有低輸入電流、低耦合電容和高隔離電壓的高電流傳輸比。這種耦合裝置設計用于兩個電分離電路之間的信號傳輸，特別是用于汽車，以及要求高可靠性的工業(yè)應用。特性AEC-Q101合格高CTR，輸入電流小。SOP-4低調(diào)包高集電極-發(fā)射極電壓，VCEO = 80 V。隔離測試電壓= 3750 VRMS。低耦合電容應用程序電和噪音隔離信號傳輸混合動力/電動汽車應用。電池管理48 V板網(wǎng)系統(tǒng)控制

近紅外發(fā)光二極管 近紅外發(fā)光二極管型號峰值波長輸出功率(mw)正向電壓(V)封裝備注數(shù)據(jù)表OD50L880nm50-6001.65-2TO-39金屬封裝發(fā)射角度7　OD100880nm100-13001.65-2TO39金屬封裝發(fā)射角度110　OD469L880nm1703.2-3.8TO-5金屬封裝發(fā)射角度7　OD663880nm170-35004.5-5TO-66金屬封裝角度120　OD666880nm330-50009-10TO-66金屬封裝角度120　OD669880nm500-650013.5-15TO-66金屬封裝角度120近紅外發(fā)光二極管型號峰值波長輸出功率(mw)正向電壓(V)封裝備注數(shù)據(jù)表LED780E780nm181.75-1.95T13/4透明封裝角度20　LED850W850nm81.55-1.7TO-18金屬封裝角度110　LED850L850nm181.55-1.7TO-18金屬封裝角度20　LED870E870nm221.55-1.7T13/4透明封裝角度20　L8957870nm21.65mm金屬封裝用于光學編碼器和光學開關　SE5470-003880nm2.6小于1.9TO-46金屬封裝發(fā)射角度20　OD880F880nm171.55TO-46金屬封裝發(fā)射角度8　OD880W880nm201.55TO-46金屬封裝發(fā)射角度80　OD880L880nm201.55TO-46金屬封裝發(fā)射角度35　OP232890nm8小于2TO-46金屬封裝角度18　OP133935nm5小于1.75TO-46金屬封裝角度18　SE3455-003935

中紅外發(fā)光二極管    中紅外發(fā)光二極管LED和光電二極體PD在光學分析系統(tǒng)中具有很大的潛力。在中紅外光譜范圍1600-5000nm，對于絕大多數(shù)的氣體和液體來說有很強的吸收帶，比如：甲烷CH4 , 水H2O, 二氧化碳CO2, 一氧化碳CO, 乙炔C2H2,  乙烯C2H4, 乙烷C2H6, 氯甲烷CH3Cl, 氧硫化碳OCS, 氯化氫HCl, 次氯酸HOCl, 溴化氫HBr, 硫化氫H2S, 氫化氰HCN, 氨氣NH3, 二氧化氮NO2, 二氧化硫SO2 , 葡萄糖glucose和許多其它物質(zhì)。下面列出了部分氣體在中紅外范圍的吸收帶。　 氣體吸收帶(um)氣體吸收帶(um)氣體吸收帶(um)氣體吸收帶(um)CH43.2-3.45HCL3.3-3.7H2O2.5-2.8,1.8-1.9N24.0-4.54C2H22.99-3.09HOCL2.6-2.9CO24.2-4.3NH32.27,2.94C2H43.1-3.4HBr3.7-4.0OH-2.38-2.63NO+4.08-4.44C2H63.3HI2.27-2.3H2CO3.38-3.7HNO35.74-5.98CH3CL3.22-3.38H2S3.7-4.4,2.5-2.8CO4.4-4.8NO23.4OCS3.45,4.87HCN2.94-3.1HO22.73-3.1SO

  Deep UV LEDs   Diverse LEDs   High Power LEDs   MID-IR LEDs   LED Chips   LED Tester KED661M53 570NM可見光 660NM紅光LED 650NM紅光LED 660NM紅光LED  　　  ｜LED｜Plastic Mold LEDs｜Si-PD｜Si-PTr｜Si-APD｜｜ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／Ａｌ ＧａＮ?。眨帧ˉ互螗担桑睿莂As フォトダイオード｜　  　形名チップ材質(zhì)発光波長(nm)光出力半値角2θ(度)パッケージ特長及び用途(mW)(mA)KED050CXH　AlGaAs8502.450115TO-46,気密封止発光徑：50µm dia., fc=25MHzKED050CXK　AlGaAs8505.050125TO-46,エポキシ樹脂レンズ発光徑：50µm dia., fc=25MHzKED080DXH　AlGaAs8701.220110TO-46,気密封止発光徑：80µm dia.KED080RAXH　AlInGaP6500.620115TO-46,気密封止発光

近紅外發(fā)光二極管型號峰值波長輸出功率(mw)正向電壓(V)封裝備注數(shù)據(jù)表LED780E780nm181.75-1.95T13/4透明封裝角度20　LED850W850nm81.55-1.7TO-18金屬封裝角度110　LED850L850nm181.55-1.7TO-18金屬封裝角度20　LED870E870nm221.55-1.7T13/4透明封裝角度20　L8957870nm21.65mm金屬封裝用于光學編碼器和光學開關　SE5470-003880nm2.6小于1.9TO-46金屬封裝發(fā)射角度20　OD880F880nm171.55TO-46金屬封裝發(fā)射角度8　OD880W880nm201.55TO-46金屬封裝發(fā)射角度80　OD880L880nm201.55TO-46金屬封裝發(fā)射角度35　OP232890nm8小于2TO-46金屬封裝角度18　OP133935nm5小于1.75TO-46金屬封裝角度18　SE3455-003935nm4.8小于1.7TO-46金屬封裝角度90　LED940E940nm181.3-1.45T13/4透明封裝角度20　OPE5594940nm801.4-1.7T13/4透明封裝角度20,用于煙霧探測　GL514950nm3.1-101.35-1.6TO-18金屬封裝角度7　LED1050E1050nm2.51.25-1.555mm透明樹脂角度15度　LED1200E1200nm2.51.2-1.55mm透明樹脂角度15度　LED1300E1300nm21.2-1.55mm透明樹脂角度15，可做為蒸汽檢測參考光源　LED1550E1550nm2