LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide SEMICONDUCTOR)橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHZ蜂窩電話技術(shù)開發(fā)的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDmos晶體管的應(yīng)用，也使得LDMOS的技術(shù)不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體管技術(shù)。與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。 LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管3倍的駐波比，能在較高的反射功率下運行而沒有破壞LDMOS設(shè)備;它較能承受輸入信號的過激勵和適合發(fā)射數(shù)字信號，因為它有高級的瞬時峰值功率。LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波數(shù)字信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化。這種主要特性允許LDmos晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管二倍的功率，且線性較好。LDmos晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負(fù)數(shù)，因此可以防止熱耗散的影響。這種溫度穩(wěn)定性允許幅值變化只有0.1dB，而在有相同的輸入電平的情況下，雙極型晶體管幅值變化從0.5~0.6dB,且通常需要溫度補償電路。 LDMOS由于更容易與CMOS工藝兼容而被廣泛采用。LDMOS器件結(jié)構(gòu)如圖1所示，LDMOS是一種雙擴散結(jié)構(gòu)的功率器件。這項技術(shù)是在相同的源/漏區(qū)域注入兩次，一次注入濃度較大(典型注入劑量 1015cm-2)的砷(As)，另一次

在前面的討論中，都沒有考慮襯底電位對晶體管性能的影響，都是假設(shè)襯底和晶體管的源極相連，即VBS (Bulk-Source)=0的情況，而實際工作中，經(jīng)常出現(xiàn)襯底和源極不相連的情況，此時，VBS不等于0。 在晶體管的襯底與器件的源區(qū)形成反向偏置時，將對器件產(chǎn)生什么影響呢? 由基本的pn結(jié)理論可知，處于反偏的pn結(jié)的耗盡層將展寬。上圖說明了NMOS管在VDS較小時的襯底耗盡層變化情況，圖中的淺色邊界是襯底偏置為0時的耗盡層邊界。當(dāng)襯底與源處于反偏時，襯底中的耗盡區(qū)變厚，使得耗盡層中的固定電荷數(shù)增加。由于柵電容兩邊電荷守衡，所以，在柵上電荷沒有改變的情況下，耗盡層電荷的增加，必然導(dǎo)致溝道中可動電荷的減少，從而導(dǎo)致導(dǎo)電水平下降。若要維持原有的導(dǎo)電水平，必須增加?xùn)艍海丛黾訓(xùn)派系碾姾蓴?shù)。對器件而言，襯底偏置電壓的存在，將使mos晶體管的閾值電壓的數(shù)值提高。對NMOS，VTN更正，對PMOS，VTP更負(fù)，即閾值電壓的絕對值提高了。 在工程設(shè)計中，襯底偏置效應(yīng)對閾值電壓的影響可用下面的近似公式計算： γ為襯底偏置效應(yīng)系數(shù)，它隨襯底摻雜濃度而變化，典型值：Nmos晶體管，γ=0.7~3.0。Pmos晶體管，γ=0.5~0.7對于Pmos晶體管，∆VT取負(fù)值，對NMO

MOS模型 MOS的一級模型是SPICE的MOSFET模型中最簡單的一種。該模型適于溝長大于5微米，柵氧化層厚度大于500埃的MOSFET。計算速度快但不精確。 MOSFET的二級模型是基于幾何圖形的分析模型。在MOSFET的二級模型中，考慮了小尺寸器件的一些二級效應(yīng)的影響。該模型適于溝長大于2微米,溝道寬度在6微米左右，柵氧化層厚度大于250埃的MOSFET?？紤]的主要的二級效應(yīng)包括：（1） 短溝和窄溝效應(yīng)對閾值電壓的影響。（2） 表面電場對載流子遷移率的影響。（3） 載流子的漂移度飽和。（4） 亞閾值電流（弱反型電流）。 計算速度慢， 精度仍不夠， 輸出電阻不連續(xù) MOSFET的三級模型是一個包括短溝和窄溝等二級效應(yīng)的半經(jīng)驗?zāi)Ｐ?。與MOSFET的二級模型相比，計算效率較高，但它的經(jīng)驗?zāi)Ｐ蛥?shù)與器件尺寸有關(guān)。該模型適于溝長大于1微米,柵氧化層大于200埃的MOSFET。其中主要考慮的二級效應(yīng)有： （1） 漏壓感應(yīng)的表面勢壘降低（DIBL）對閾值電壓的影響。 （2） 短溝和窄溝效應(yīng)對閾值電壓的影響。 （3） 表面電場對載流子遷移率的影響。 （4） 載流子的漂移速度飽和。 三級模型中的亞閾值區(qū)電流與二級模型相同。 計算速度快， 但輸出電阻不連續(xù)。mos晶體管的電流-電壓方程 對于mos晶體管的電流-電壓特性的經(jīng)典描述是薩氏方程。 式中的λ是溝道長度調(diào)制因子，表征了溝道長度調(diào)制的程度，當(dāng)不考慮溝道長度調(diào)制作用時，λ=10~5m硅柵P阱CMOS工藝溝道長度調(diào)制

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics） 今天推出了該公司第一批采用頂置金屬片的PolarPAK® 封裝的功率IC，這種封裝有助于大電流電源組件實現(xiàn)優(yōu)異的熱性能和更高的功率密度。新的STK800和STK850分別是20A和30A的功率場效應(yīng)mos晶體管，占板面積與SO-8封裝相同，僅為5mm x 6mm。因為頂部和底部都有散熱通道，所以封裝的高度更低，只有0.8mm高。 ST和Siliconix公司于2005年3月簽訂一項使用PolarPAK®技術(shù)的許可協(xié)議。新封裝的引線框架和塑料封裝與大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)功率場效應(yīng)mos晶體管使用的封裝相似，具有優(yōu)良的裸片保護功能，在制造過程中拾放芯片十分容易。然而與標(biāo)準(zhǔn)的SO-8封裝相比，PolarPAK的散熱效率更加出色，在相同的占板面積下，比SO-8封裝處理的電流高一倍。. 新器件采用ST最新優(yōu)化的STripFET™制造技術(shù)，在更小的芯片面積上取得了更低的通態(tài)電阻和功耗，這項技術(shù)是以大幅度提高單元密度和降低單元線寬為基礎(chǔ)的。在10V時，20A STK800的典型RDS(on) 是6.0毫歐，30A STK850是2.9毫歐。結(jié)到外殼熱阻極低和結(jié)溫較低的特性是降低兩款MOSFET的通態(tài)電阻的主要因素。 電容低和柵電荷總量低使STK800成為非隔離型直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器的控制FET的理想選擇，同時極低的RDS(on)電阻使STK850成為一個優(yōu)秀的同步FET解決方案。較低的工作溫度有助于提高能效和使用壽命的可靠性。新的封裝加強了裸片保護，提高了制造過程中芯片拾放的便利性，并兼容現(xiàn)有的SMD組裝設(shè)備。新器件的多個貨

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              ST公司推出混合發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管(ESBT)STE50DE100,它把雙極晶體管和MOSFET的優(yōu)點組合在一起,設(shè)計用在焊接設(shè)備,包括加熱系統(tǒng)和音頻放大器的功率因素修正.該器件降低了在加熱,焊接和功率因素修正等方面應(yīng)用損耗.STE50D100能經(jīng)受高集電極-源極電壓1000V和高達(dá)50A的集電極電流.四端器件安裝在精心設(shè)計的螺釘安裝的TSOTOP封裝.它的設(shè)計組合了雙極晶體管和MOSFET的強項而消除了它們的缺點.到現(xiàn)在用在功率開關(guān)應(yīng)用的功率雙極技術(shù)的頻率地于70KHz.它的集電極-發(fā)射極飽和電壓低,使它具有低的導(dǎo)通損耗.它的缺點包括開關(guān)速度低,驅(qū)動電路需要大電流以及和電路精細(xì)調(diào)整有關(guān)的問題.相反,MOSFET技術(shù)廣泛應(yīng)用在高頻功率開關(guān).MOSFET的主要優(yōu)點是開關(guān)速度高和驅(qū)動電路需要非常低的電流.它的缺點包括相對于雙極技術(shù)較高的成本和在導(dǎo)通時較大的功耗.把這兩種技術(shù)的優(yōu)點組合,消除它們的缺點,STE50DE100把導(dǎo)通損耗降低到雙極晶體管的同樣水平,而在高達(dá)150KHz的高速開關(guān)時有MOSFET同樣的良好性能.此外,由于共發(fā)共基放大器的配置和專用的雙極技術(shù),器件提供方形反向偏壓的安全工作區(qū),使它能工作在苛刻的開關(guān)拓?fù)?堅固耐用的ISOTOP是器件能在25度C時經(jīng)受非常高的總功耗160W.最大的工作溫度為150度C,絕緣電壓是2500V AC-RMS.1K量的單價為$20.0.下圖為產(chǎn)品外形圖.詳情

              飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)近日推出一款7通道馬達(dá)驅(qū)動器IC——FAN8741。這款單片式IC具有很低的輸出導(dǎo)通電阻(電流為0.5A時，主軸0.8Ω；電流為0.25A時，sled為2.0Ω)，基于Dmos晶體管技術(shù)，有助于減少熱量的生成，適合為DVD-RW設(shè)計所用。目前，東芝三星存儲技術(shù)公司(Toshiba-Samsung Storage Technology)已選定該款驅(qū)動器IC，以用于其高端DVD-RW產(chǎn)品中。 據(jù)介紹，在3.3V電壓和運行速度為10,000 rpm情況下，采用無刷直流(BLDC)馬達(dá)進行測試，飛兆FAN8741的溫度比同類產(chǎn)品低20℃還多。FAN8741具有內(nèi)置熱關(guān)斷(TSD)功能及可靠功率器件封裝，有助于提升高速光媒體應(yīng)用的可靠性。這種7通道馬達(dá)驅(qū)動器IC毋須附加元件。 FAN8741還具備180度換向、內(nèi)置信道啞音功能，以及3.3V或5V DSP情況下8個獨立電壓源。而其內(nèi)置7通道驅(qū)動器能夠同時以PWM方式驅(qū)動3相的BLDC主軸馬達(dá)；或以PWM方式驅(qū)動2信道的SLED馬達(dá)；以及4個通道的線性驅(qū)動器，用來驅(qū)動對焦(focus actuator)、跟蹤(tracking actuator)、傾斜(tilt actuator)和開關(guān)倉馬達(dá)(loading motor)。 FAN8741采用56-SSOP無鉛封裝，達(dá)到并超過I

              意法半導(dǎo)體日前推出一個N溝道場效應(yīng)mos晶體管，新產(chǎn)品用于高強度放電燈、高端鎮(zhèn)流器和采用零壓和零流開關(guān)技術(shù)的開關(guān)電源。 STx9NK60ZD 是率先采用了SuperFREDMeshTM新型高壓工藝，由于這項先進技術(shù)在ST原有的基本高壓系列產(chǎn)品SuperMESH?上實現(xiàn)了一個新載流子壽命控制過程，新器件不僅展現(xiàn)出優(yōu)異的動態(tài)性能，而且還優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)時間(trr)，具有優(yōu)異的軟恢復(fù)特性。所有這些都將有助于降低開關(guān)損耗。          采用SuperFREDMesh制造技術(shù)的器件還可以降低通態(tài)電阻，執(zhí)行齊納二極管柵保護，提高dv/dt處理能力和成本競爭力。 這個器件可處理600V電壓和高達(dá)7A的漏極電流， 典型導(dǎo)通電阻RDS(on) 0.85歐姆。STF9NK60ZD可以處理最高30W的功率，而STB9NK60ZD 和 STP9NK60ZD的最高功率為120W。 新器件的雪崩測試率為100%，目前所選封裝為TO-220、TO-220FP 和 D2PAK。 訂購10萬件的美國市場單價為0.80美元，詳情登錄網(wǎng)站www.st.com/pmos。          

聯(lián)電日前發(fā)表一種可提升絕緣層覆硅晶體管效能的工程技術(shù)。與傳統(tǒng)的基體接地絕緣層覆硅晶體管相比，此種直接穿隧感應(yīng)浮體電位技術(shù)能擴大該組件的特定物理行為，增加30%的Pmos晶體管驅(qū)動電流。 聯(lián)電表示，新技術(shù)與應(yīng)變硅組件或多重閘極晶體管等其它性能提升技術(shù)有很大不同，這項新技術(shù)并不會增加制程的復(fù)雜度，意即不會造成額外的制造成本支出或良率的降低。 這項先進的工程技術(shù)是透過簡單的設(shè)計布局結(jié)構(gòu)來控制直接穿隧電流。直接穿隧是一種電子或電洞穿過薄絕緣層的量子機械行為。這個平常不太受歡迎的行為，卻可經(jīng)由此項工程技術(shù)來補強不受控制的浮體效應(yīng)。有了這個額外的控制，除了性能獲得提升之外，晶體管行為也將變得更容易預(yù)測。（轉(zhuǎn)自 電子工程專輯）

英飛凌科技(InfineonTEchnologies)于美國波士頓所舉辦的IEEEMTT-S國際微波技術(shù)研討會(InternatiONalMicrowaveSymposium)上宣布推出可供設(shè)計寬頻無線網(wǎng)絡(luò)基站的高功率LDmos晶體管系列產(chǎn)品。 新型晶體管的功率位準(zhǔn)高達(dá)300W，視頻頻寬超過90MHz，完全支持由3G發(fā)展為4G無線網(wǎng)絡(luò)所需的高峰值對均值功率比(peaktoaveragepowerratio)以及高數(shù)據(jù)傳輸速率規(guī)格。 新型晶體管系列產(chǎn)品所提供的高增益及高功率密度，優(yōu)于在1.4-2.6GHz行動頻帶中運作的其它裝置。如此將可使用體積減少30%的套件，設(shè)計更小型且成本更低的放大器。高峰值功率非常有助于設(shè)計Doherty放大器，以及減少其它架構(gòu)中的零件數(shù)量。 這批新型晶體管以雙載波WCDMA訊號(2170MHz、30V、8dBPAR及3.84MHz信道頻寬)所測得的效能為50W平均功耗、18dB增益，效率28%(使用230W的P-1dB輸出功率晶體管)。300W(P-1dB)裝置于相同應(yīng)用條件下，所測得的效能為65W平均功率、18dB增益，效率28%。 所有新型PTFB系列晶體管皆采用開放式共振腔(open-cavity)陶瓷封裝，供螺栓式(bolt-down)或無耳式(earless)安裝。這些產(chǎn)品皆無鉛并符合ROHS規(guī)格。前六種產(chǎn)品的樣品目前已可供貨。

日本半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心（STARC）宣布，其與廣島大學(xué)三浦研究室合作開發(fā)的電路模擬用mos晶體管模型“HiSIM2：Hiroshima-university STARC IGFET Model 2”已成為國際標(biāo)準(zhǔn)。電路模擬用晶體管模型的國際標(biāo)準(zhǔn)化機構(gòu)“Compact Model Council：CMC”在2011年3月31日和4月1日于美國舊金山舉行的會議上，選擇HiSIM2作為Bulk基板mos晶體管的CMC標(biāo)準(zhǔn)模型。HiSIM2是考慮了從mos晶體管源極至漏極間電位分布的電位模晶體管型。與20世紀(jì)90年代開發(fā)的BSIM等將晶體管內(nèi)部作為黑箱來處理的閾值電壓模型相比，可更準(zhǔn)確地處理晶體管的動作。BSIM3和BSIM4都于20世紀(jì)90年代被選作CMC標(biāo)準(zhǔn)模型，但后來隨著微細(xì)化的發(fā)展，在準(zhǔn)確度和處理時間（收斂性）上問題凸顯，因此CMC決定征集取代BSIM的新一代模型。除準(zhǔn)確度和收斂性出色外，HiSIM2還具有可模塊化的特點。因此，容易開發(fā)諸如HiSIM_HV等擴展模型。HiSIM_HV是在HiSIM2掌控的Bulk mos晶體管模型旁邊增加漂移方面的模型而開發(fā)出來的。此外，在HiSIM_HV中增加BJT的模型就開發(fā)出了“HiSIM-IGBT”。HiSIM-IGBT是由豐田中央研究所和豐田汽車分別與廣島大學(xué)合作研發(fā)出來的。另外，據(jù)STARC介紹，HiSIM2和HiSIM_HV的開發(fā)得到了日本獨立行政法人新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）的資助，從而加速了標(biāo)準(zhǔn)化。

英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一，其高可靠性，高質(zhì)量的產(chǎn)品覆蓋了模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置等領(lǐng)域。 在射頻方面，英飛凌近期推出了一系列LDmos晶體管，最新第九代產(chǎn)品大功率管以PTFB系列為主，其具有功率大、效率高、增益高等特點。包括的型號有： - 適用于1800-2000MHz的PTFB182503E和PTFB183404F；其P1dB分別為240W和340W，增益分別為19dB和17dB。 - 適用于1800-2000MHz的PTFB191501E和PTFB192503F；其P1dB分別為150W和240W，增益分別為18dB和19dB。 - 適用于2110-2170MHz的PTFB211503EL，P1dB為150W，增益為18dB；PTFB211803EL，P1dB為180W，增益為17.5dB；PTFB212503EL，P1dB為240W，增益為18dB；PTFB213004F，P1dB為300W，增益為18dB。 在寬帶功率放大管方面有工作頻率從700MHz到2200MHz的產(chǎn)品，其型號分別為PTFA220041M、PTFA220081M、PTFA220121M；P1dB分別為5W、8W、15W；增益分別為17.9dB、17dB、16dB；由于其工作頻帶寬，且在保持電路不變的情況下，只需要改變匹配電容的參數(shù)與位置，就可以實現(xiàn)在不同頻率下工作，減少了重復(fù)性設(shè)計工作，提供了很多方便。 世強電訊目前正著手采用這些最新的第九代LDMOS研發(fā)設(shè)計成DEMO測試板，目前開發(fā)的設(shè)計方案有：25W-35W W

在中國，英飛凌(Infineon TEchnologies)先進的半導(dǎo)體解決方案已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，該公司憑借其雄厚的技術(shù)實力和全球領(lǐng)先的經(jīng)驗，與包括中興、華為、方正、握奇等國內(nèi)領(lǐng)先廠商展開深入合作，為中國電子行業(yè)的騰飛做出應(yīng)有的貢獻。 在LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管方面，英飛凌立足于最先進的LDMOS工藝技術(shù)和改善散熱性能的封裝，這家公司可制造門類齊全的RF功率晶體管和芯片產(chǎn)品，全面支持所有主要的無線通信和廣播頻段。先進的LDMOS工藝以及全自動RF組裝和測試生產(chǎn)線，確保其產(chǎn)品具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能和質(zhì)量。目前，包括愛立信、華為和中興在內(nèi)的不少知名的無線網(wǎng)絡(luò)設(shè)備商都在大批采用英飛凌的LDMOS管。 PTFB系列LDmos晶體管是英飛凌全新推出的可供設(shè)計寬頻無線網(wǎng)絡(luò)基站的高功率LDmos晶體管系列產(chǎn)品，新型晶體管的單管輸出功率高達(dá)300W，完全支持由3G發(fā)展為4G無線網(wǎng)絡(luò)所需的高峰值對均值功率比(peak to average power ratio)以及高數(shù)據(jù)傳輸速率規(guī)格。PTFB系列系列產(chǎn)品所提供的高增益及高功率密度，主要應(yīng)用在1.4-2.6GHz頻帶中。如此將可使用體積減少30%的器件，設(shè)計更小型且成本更低的功率放大器。高峰值功率非常有助于設(shè)計Doherty放大器，以及減少其它架構(gòu)中的零件數(shù)量。 新型PTFB系列晶體管皆采用開放式共振腔(open-cavity)陶瓷封裝，供螺栓式(bolt-down)或無耳式(earless)安裝。這些產(chǎn)品皆無鉛并符合ROHS規(guī)格，非常適合應(yīng)用在WCDMA信號設(shè)備上，能夠為設(shè)備提供出更高的增益和效率，還可大幅度提升最新M

中國領(lǐng)先的無線覆蓋解決方案提供商福建三元達(dá)通訊股份有限公司(三元達(dá))日前宣布推出中國首款高效Doherty發(fā)射器。三元達(dá)在這一里程碑產(chǎn)品中結(jié)合了該公司的高效率技術(shù)Doherty與飛思卡爾的性能領(lǐng)先的RF功率橫向擴散MOS(LDMOS)晶體管，后者適用于廣泛的應(yīng)用。 三元達(dá) 數(shù)字電視(DTV)發(fā)射器為UHF應(yīng)用提供了顯著的電能節(jié)約以及同類產(chǎn)品中最高的輸出功率。這不僅意味著廣播電臺可以實現(xiàn)顯著的成本節(jié)省，而且充分支持中國的環(huán)保目標(biāo)：實現(xiàn)最低程度的二氧化碳排放和電力消耗。 三元達(dá)執(zhí)行副總裁黃海峰先生表示，“能夠推出全球第一款商用的先進高效率Doherty技術(shù)，我們感到無比的自豪，這項先進的技術(shù)是由我們自己的研發(fā)實驗室研發(fā)的。通過采用自有平臺，我們將能夠縮短產(chǎn)品周期并與市場中的其他全球OEM展開有效的競爭。 我們的半導(dǎo)體器件提供商飛思卡爾是RF LDMOS技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者，幫助我們實現(xiàn)了這一重大飛躍?！?通過采用飛思卡爾的MRF6VP3450H器件，這款發(fā)射器的效率比競爭UHF TV廣播解決方案提高了50%，而且系統(tǒng)級功耗更少。飛思卡爾的MRF6VP3450H器件在P1dB下提供超過450 W的 峰值功率，并在整個UHF廣播頻帶中提供高效率。 發(fā)射器對于TV廣播電臺是一項龐大的運營成本，而這項運營成本的主要組成部分就是RF功率放大器產(chǎn)生的電能消耗。 “飛思卡爾非常高興能夠在三元達(dá)的這一重要產(chǎn)品中擔(dān)當(dāng)重要的作用。大多數(shù)國家和公司已經(jīng)將環(huán)保主題列入歷史議程。越來越多的低功率社區(qū)廣播電臺及全功率廣播電臺在積極尋求降低電能消耗的途徑和方法，”飛思卡爾副總裁兼RF事業(yè)部總經(jīng)理Gavin Woo

Fujitsu發(fā)表CMOS邏輯高電壓晶體管的最新開發(fā)進展，此款45奈米Cmos晶體管具備高擊穿電壓的特性，適合支持無線裝置所使用的功率放大器(PA)。也能支持10V功率輸出，讓晶體管能因應(yīng)各種高輸出規(guī)格，滿足WiMAX與其它高頻應(yīng)用中功率放大器的規(guī)格需求。此外，該新技術(shù)并實現(xiàn)了在同一晶粒(die)中藉由CMOS邏輯控制電路，達(dá)到單芯片整合的目標(biāo)，可進而開發(fā)出高效能、低成本的功率放大器。 Fujitsu開發(fā)的新晶體管結(jié)構(gòu)具有多項關(guān)鍵特性。晶體管的汲極周圍有一個「輕微摻雜汲極」(lightly doped drain；LDD)區(qū)域，覆蓋在閘極上。這種設(shè)計能降低水準(zhǔn)延伸至汲極的電場，以及延伸至閘極氧化層的電場，故能提高擊穿電壓。 晶體管信道中的雜質(zhì)(dopant)，呈側(cè)面漸層分布。這種模式能降低信道中汲極側(cè)的摻入雜質(zhì)密度，進而限制了汲極電阻的提高幅度，此電阻是導(dǎo)通電阻(on-resistance)的主要來源。它亦降低水準(zhǔn)延伸至汲極的電場，進而提高擊穿電壓。 要提高Cmos晶體管擊穿電壓，傳統(tǒng)的作法是拉大閘極與汲極之間的間距。這種新開發(fā)的技術(shù)比傳統(tǒng)方法更能有效抑制導(dǎo)通電阻，而且不必拉大間距。此外，這種新結(jié)構(gòu)技術(shù)與3.3V I/O電壓的標(biāo)準(zhǔn)晶體管維持極高的兼容性，因為它僅需要幾個額外的步驟，以生成LDD區(qū)域以及客制化信道區(qū)域。 藉由采用45奈米制程技術(shù)把新型晶體管技術(shù)套用到3.3V I/O標(biāo)準(zhǔn)晶體管，F(xiàn)ujitsu開發(fā)出第一個把擊穿電壓從6V提高到10V的晶體管。在晶體管結(jié)構(gòu)方面，為了讓新晶體管適合用在功率放大器，在最高震蕩頻率43GHz下1mm (0.6W/mm)閘極寬度達(dá)到0.6W

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）擴張其業(yè)界領(lǐng)先的RF Power晶體管產(chǎn)品線，近日推出最新的針對L波段雷達(dá)應(yīng)用的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS）晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達(dá)500W的突破性的RF輸出功率。 針對大范圍的L波段雷達(dá)應(yīng)用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設(shè)置了新的效率標(biāo)準(zhǔn)（漏極效率大于50%）、增益（17dB）和達(dá)500W的耐用度。 恩智浦半導(dǎo)體RF功率產(chǎn)品線全球產(chǎn)品市場經(jīng)理Mark Murphy表示：“作為首個推出L波段和S波段應(yīng)用的LDMOS的公司，恩智浦高效LDMOS RF功率晶體管產(chǎn)品線建立了一個嶄新的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，為我們的客戶提供市場上表現(xiàn)最優(yōu)異和最耐用的晶體管。RF輸出功率達(dá)到500W這個突破，是恩智浦通力合作、貼近客戶需求的結(jié)果，使我們推出了可縮短上市時間的易于進行設(shè)計導(dǎo)入的晶體管。 恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現(xiàn)參數(shù)包括： ·500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100μs脈沖寬度，25%占空比時） ·17dB增益 ·50%漏極效率 ·更佳耐用度 ·能夠承受高達(dá)5dB的過驅(qū)動能力 ·更佳脈沖頂降 （低于0.2dB） ·供電電壓50V ·無毒封裝、符合RoHs標(biāo)準(zhǔn) 恩智浦的這款器件結(jié)合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達(dá)設(shè)計的LDMOS技術(shù)優(yōu)勢，其環(huán)保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。 上市時間 恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶體

Novaled AG（德國，德累斯頓）通過采用其自主研發(fā)的p型和n型摻雜劑成功地開發(fā)出了基于單層并五苯（Pentacene）半導(dǎo)電層的p型和n型場效應(yīng)管。這項摻雜技術(shù)將促進數(shù)字有機電子的發(fā)展。 Novaled表示，當(dāng)前的大多數(shù)開發(fā)都是基于并五苯（一類有機材料，通常僅用于p型晶體管的半導(dǎo)體層）展開。通過在晶體管源極或漏極接點加薄薄的一層p型或n型摻雜劑，晶體管變成純P型或純N型，抗噪性增強、待機時的耗電量也有所降低。p型及n型晶體管當(dāng)前所能實現(xiàn)的電子遷移率均為0.01cm 2/Vs。 據(jù)Novaled公司CEO Gildas Sorin表示，Novaled的PIN OLED技術(shù)已經(jīng)被用于顯示屏|顯示器件和照明領(lǐng)域?！拔覀冄邪l(fā)的用于這兩個應(yīng)用領(lǐng)域的p型和n型摻雜劑也是一項開創(chuàng)性技術(shù)。Novaled將進一步加深對未來將成為主要市場的數(shù)字有機電子領(lǐng)域的研究。 Novaled有機電子項目組組長Tobias Canzler在8月份舉行的2008 SPIE光學(xué)&光子學(xué)會議（Optics & Photonics Conference）上發(fā)表了一篇用于CMOS型晶體管的有機雜質(zhì)添加技術(shù)的文章。

無內(nèi)容

恩智浦半導(dǎo)體(NXPSemiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（UHF）晶體管，即第六代高壓LDmos晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場上唯一能夠在整個UHF波段以杰出線性性能和穩(wěn)定性能提供300W功率的解決方案，主要面向電視發(fā)射及廣播市場。電視廣播發(fā)射行業(yè)不斷提高輸出功率以滿足高清電視的需求，廣播商憑借恩智浦的這一最新高效率解決方案能夠顯著提高輸出功率，同時降低成本。如今的高性能電視發(fā)射機投資巨大，所以廣播商正尋求最大限度地利用功率傳輸大量數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)在家庭中播放DVB-T和DVB-H（數(shù)字視頻廣播）節(jié)目。BLF878超高頻（UHF）大功率LDmos晶體管使這一點成為可能，它能從給定的輸入功率獲得最大的輸出功率，并將恒波（CW）效率提高到55%，數(shù)字廣播效率提高到32%，從而使廣播商節(jié)省大量成本。由于沒有其他競爭產(chǎn)品能夠以300W功率、相同性能支持整個UHF波段，廣播商可以通過恩智浦新的解決方案以相對以前更少的組件來提供這一水平的功率，從而進一步節(jié)省成本。恩智浦半導(dǎo)體射頻功率廣播及微波事業(yè)部全球市場經(jīng)理GuidoBekkers表示：“為了將更豐富的內(nèi)容傳輸?shù)诫娨暉善辽?，廣播設(shè)備制造商承受著越來越大的壓力，這對原本就難以控制的發(fā)射機成本提出了更多挑戰(zhàn)。雖然我們的投入所占份額可能是最小的，但如果考慮到所涉及的支出，它對利潤水平的貢獻仍是相當(dāng)可觀。通過率先向市場提供如此強大功能的解決方案，恩智浦鞏固了市場第一的地位，將又一個高效、強大、極具成本效益的解決方案提供給不斷增長的客戶群?！倍髦瞧质侨蚬J(rèn)的UHF廣播

無內(nèi)容

具有市場競爭力的針對汽車開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的大電流產(chǎn)品 意法半導(dǎo)體日前針對汽車市場推出一個新的大電流功率場效應(yīng)mos晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET™專利技術(shù)，實現(xiàn)了最低的導(dǎo)通電阻。新產(chǎn)品STD95N04是一個40V的標(biāo)準(zhǔn)電平的DPAK產(chǎn)品，最大導(dǎo)通電阻RDS(on)6.5毫歐。 這個80A的產(chǎn)品是專門為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機控制、電磁閥驅(qū)動器和ABS（防抱死制動系統(tǒng)）設(shè)計的。與采用傳統(tǒng)的溝道技術(shù)制造的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品在價格和導(dǎo)通電阻性能上極具競爭力。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5毫歐區(qū)間內(nèi)，能夠滿足標(biāo)準(zhǔn)閾壓的驅(qū)動要求。 STD95N04符合汽車電工理事會（AEC）組件技術(shù)委員會針對汽車環(huán)境用組件制定的AECQ101分立器件應(yīng)力測試標(biāo)準(zhǔn)。該組件最大工作溫度175℃，100%通過雪崩測試。 ST新的STripFET技術(shù)以密度大幅度提高的單元為基礎(chǔ)，導(dǎo)通電阻和功耗比上一代技術(shù)更低，占用的硅片面積更少。正在開發(fā)的其它的功率場效應(yīng)mos晶體管將采用相同的技術(shù)，以滿足DPAK(30V,邏輯電平,典型導(dǎo)通電阻在4.5V時等于4.5毫歐)和D2PAK(40V,標(biāo)準(zhǔn)電平,典型導(dǎo)通電阻在10V時等于2.0毫歐)的需求。 采用DPAK和TO-220封裝的STD95N04現(xiàn)已投入量產(chǎn)。訂購10,000件，單價0.38美元。

隨著能源價格的不斷上漲，廣播行業(yè)開始尋求減少電源消耗和運營費用的創(chuàng)新方法。針對這種市場需求，飛思卡爾半導(dǎo)體推出超高效的射頻功率晶體管。這款MRF6P3300H晶體管利用飛思卡爾先進的第六代高壓（HV6）橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)，具備出色的射頻性能，并能增強下一代功率放大器和發(fā)射器的工作效率和可靠性。作為率先采用LDMOS技術(shù)開發(fā)功率晶體管的公司，飛思卡爾提供了一系列面向無線和廣播基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的LDMOS射頻晶體管產(chǎn)品。 憑借高輸出功率，300W的MRF6P3300H設(shè)備可以幫助功率放大器制造商降低系統(tǒng)級成本，因為它達(dá)到指定功率目標(biāo)所需的頻率晶體管數(shù)量更少。由于晶體管數(shù)量減少，功率放大器的設(shè)計更加緊湊，散熱更少，冷卻要求也就隨之降低。 使用體積更小但效率更高的MRF6P3300H功率放大器，廣播公司能夠降低長期運營成本 。根據(jù)飛思卡爾對典型的5kW數(shù)字電視基站的分析，采用多個MRF6P3300H設(shè)備的功率放大器，能幫助廣播公司降低5200美元的年運營成本。如此大幅的成本節(jié)約要歸功于飛思卡爾設(shè)備的出色的工作效率和低熱阻（降低冷卻成本）。 飛思卡爾射頻產(chǎn)品部門總經(jīng)理GavinWoods說："我們將MRF6P3300H設(shè)計成為廣播市場上效率最高的功率射頻晶體管。憑借MRF6P3300H的超群運行效率，功率放大器和發(fā)射器的制造商能夠建立競爭優(yōu)勢。此外，使用這種設(shè)備，電視廣播公司也能節(jié)省大量的運營成本。" MRF6P3300H設(shè)備采用飛思卡爾獨有的"LowRth"封裝技術(shù)，能夠在放大器和發(fā)射器應(yīng)用中實現(xiàn)出色的傳熱性能。這種封裝技術(shù)帶有專門設(shè)計的低熱阻凸緣，能夠加快熱量從

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恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（UHF）晶體管，即第六代高壓LDmos晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場上唯一能夠在整個UHF波段以杰出線性性能和穩(wěn)定性能提供300W功率的解決方案，主要面向電視發(fā)射及廣播市場。電視廣播發(fā)射行業(yè)不斷提高輸出功率以滿足高清電視的需求，廣播商憑借恩智浦的這一最新高效率解決方案能夠顯著提高輸出功率，同時降低成本。 如今的高性能電視發(fā)射機投資巨大，所以廣播商正尋求最大限度地利用功率傳輸大量數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)在家庭中播放DVB-T和DVB-H（數(shù)字視頻廣播）節(jié)目。BLF878 超高頻（UHF）大功率LDmos晶體管使這一點成為可能，它能從給定的輸入功率獲得最大的輸出功率，并將恒波（CW）效率提高到55%，數(shù)字廣播效率提高到32%，從而使廣播商節(jié)省大量成本。由于沒有其他競爭產(chǎn)品能夠以300W功率、相同性能支持整個UHF波段，廣播商可以通過恩智浦新的解決方案以相對以前更少的組件來提供這一水平的功率，從而進一步節(jié)省成本。 恩智浦半導(dǎo)體射頻功率廣播及微波事業(yè)部全球市場經(jīng)理Guido Bekkers表示：“為了將更豐富的內(nèi)容傳輸?shù)诫娨暉善辽?，廣播設(shè)備制造商承受著越來越大的壓力，這對原本就難以控制的發(fā)射機成本提出了更多挑戰(zhàn)。雖然我們的投入所占份額可能是最小的，但如果考慮到所涉及的支出，它對利潤水平的貢獻仍是相當(dāng)可觀。通過率先向市場提供如此強大功能的解決方案，恩智浦鞏固了市場第一的地位，將又一個高效、強大、極具成本效益的解決方案提供給不斷增長的客戶群

特征鏡像引腳版本（A和B）可簡化推挽式雙向配置集成ESD保護，具有更大的負(fù)柵極 - 源極電壓范圍，可改善C類操作工作溫度范圍為-40°C至150°C特征在于30V至50V適合線性應(yīng)用TO-220-3L封裝應(yīng)用工業(yè)，科學(xué)，醫(yī)療（ISM）：激光產(chǎn)生等離子蝕刻粒子加速器MRI和其他醫(yī)療應(yīng)用工業(yè)加熱，焊接和干燥系統(tǒng)廣播：電臺廣播