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型號: | IRF3808PBF |
是否無鉛: | 不含鉛 |
是否Rohs認證: | 符合 |
生命周期: | Transferred |
IHS 制造商: | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP |
零件包裝代碼: | TO-220AB |
包裝說明: | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
針數(shù): | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代碼: | EAR99 |
風險等級: | 3.02 |
Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
雪崩能效等級(Eas): | 430 mJ |
外殼連接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源擊穿電壓: | 75 V |
最大漏極電流 (Abs) (ID): | 140 A |
最大漏極電流 (ID): | 75 A |
最大漏源導通電阻: | 0.007 Ω |
FET 技術: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代碼: | TO-220AB |
JESD-30 代碼: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代碼: | e3 |
元件數(shù)量: | 1 |
端子數(shù)量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作溫度: | 175 °C |
封裝主體材料: | PLASTIC/EPOXY |
封裝形狀: | RECTANGULAR |
封裝形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流溫度(攝氏度): | 250 |
極性/信道類型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 330 W |
最大脈沖漏極電流 (IDM): | 550 A |
認證狀態(tài): | Not Qualified |
子類別: | FET General Purpose Power |
表面貼裝: | NO |
端子面層: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE |
處于峰值回流溫度下的最長時間: | 30 |
晶體管應用: | SWITCHING |
晶體管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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