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  • 首天國際(深圳)科技有限公司

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  • 上海振基實業(yè)有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 深圳市賽科世紀電子有限公司

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  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司

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  • 深圳市廣百利電子有限公司

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  • 深圳市宇集芯電子有限公司

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  • 深圳市拓億芯電子有限公司

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  • 廠家MICROSEMI/美高森美 
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  • 只做原裝現(xiàn)貨假一罰十
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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • 廠家MICROSEMI-美高森美 
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  • 北京首天國際有限公司

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  • 2N2222AJANTX圖
  • 北京齊天芯科技有限公司

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  • 北京中其偉業(yè)科技有限公司

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  • 深圳市拓億芯電子有限公司

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  • 廠家MICROSEMI/美高森美 
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  • 深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司

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  • 廠家MOT 
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  • 深圳市湘達電子有限公司

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  • 北京中其偉業(yè)科技有限公司

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  • 廠家MOT 
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司

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  • 北京齊天芯科技有限公司

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  • 深圳市宏世佳電子科技有限公司

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 千層芯半導體(深圳)有限公司

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  • “芯達集團”專營軍工百分之百原裝進口
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  • 深圳市芳益電子科技有限公司

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產品型號2N2222A的概述

2N2222A 芯片概述 2N2222A是一種廣泛使用的NPN型雙極性晶體管,因其良好的性能和穩(wěn)定性被廣泛應用于各種電子電路中。該晶體管由多家制造商生產,適用于開關和放大電路,能夠處理相對較大的電流和電壓,非常適合于低到中功率的應用。由于其良好的頻率特性和高增益,2N2222A成為了電子工程師和愛好者們的首選元件之一。 2N2222A 的詳細參數(shù) 2N2222A芯片的關鍵電氣參數(shù)如下: - 最大集電極電壓(Vce): 40V - 最大集電極電流(Ic): 800mA - 最大功耗(Ptot): 500mW - 直流增益(hFE): 100到300(在Ic=10mA時) - 最高頻率(fT): 250MHz - 基極-發(fā)射極擊穿電壓(Vbe): 6V - 工作溫度范圍: -55°C 到 +150°C 這些參數(shù)表明,2N2222A在多種應用中表現(xiàn)出色,既能夠在相對高的電壓下工作,又可以處理...

產品型號2N2222A的Datasheet PDF文件預覽

2N2222A  
S E M E  
LA B  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
HIGH SPEED  
5.84 (0.230)  
5.31 (0.209)  
MEDIUM POWER, NPN  
4.95 (0.195)  
4.52 (0.178)  
SWITCHING TRANSISTOR  
FEATURES  
? SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN  
TRANSISTOR  
0.48 (0.019)  
0.41 (0.016)  
dia.  
? HIGH SPEED SATURATED SWITCHING  
? ALSO AVAILABLE IN CERAMIC SURFACE  
MOUNT PACKAGE  
2.54 (0.100)  
Nom.  
3
1
2
TO–18 METAL PACKAGE  
Underside View  
PIN 1 – Emitter  
PIN 2 – Base  
PIN 3 – Collector  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
A
V
V
V
Collector – Base Voltage  
Collector – Emitter Voltage  
Emitter – Base Voltage  
Collector Current  
75V  
40V  
CBO  
CEO  
EBO  
6V  
I
800mA  
C
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
@ T = 25°C  
0.5mW  
D
D
A
2.28mW / °C  
1.2W  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
@ T = 25°C  
C
6.85mW / °C  
–65 to +200°C  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
J
STG  
Prelim. 3/96  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  
2N2222A  
S E M E  
LA B  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise stated)  
A
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
V
V
V
V
V
V
Collector – Emitter Sustaining Voltage I = 10mA  
I = 0  
40  
75  
6
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CEX  
C
B
Collector – Base Breakdown Voltage  
Emitter – Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = 10μA  
I = 0  
E
C
I = 10μA  
I = 0  
C
E
nA  
I
V
= 60V  
V
V
= 3V  
EB(off)  
10  
0.01  
10  
CE  
I = 0  
= 60V  
CB  
E
μA  
I
Collector – Base Cut-off Current  
CBO  
T = 150°C  
A
nA  
nA  
I
I
Emitter Cut-off Current (I = 0)  
I = 0  
V
V
= 3V  
10  
EBO  
C
C
EB  
EB(off)  
Base Current  
V
= 60V  
= 3V  
20  
BL  
CE  
ON CHARACTERISTICS  
I = 150mA  
I = 15mA  
0.3  
1
C
B
1
V
V
V
V
Collector – Emitter Saturation Voltage  
Base – Emitter Saturation Voltage  
CE(sat)  
I = 500mA  
I = 50mA  
B
C
I = 150mA  
I = 15mA  
0.6  
1.2  
2
C
B
1
BE(sat)  
I = 500mA  
I = 50mA  
C
C
I = 0.1mA  
V
V
V
= 10V  
= 10V  
= 10V  
35  
50  
C
CE  
CE  
CE  
I = 1mA  
C
I = 10mA  
75  
C
h
DC Current Gain  
T = –55°C  
35  
FE  
A
I = 150mA  
V
V
V
= 10V 1  
100  
50  
300  
C
CE  
CE  
CE  
1
I = 150mA  
= 1V  
C
I = 500mA  
= 10V 1  
40  
C
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
MHz  
pF  
f
Transition Frequency 2  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
I = 20mA  
V
= 20V  
CE  
f = 100MHz  
f = 100kHz  
f = 100kHz  
f = 1kHz  
300  
T
C
C
C
V
V
= 10V  
I = 0  
8
ob  
CB  
EB  
E
= 0.5V  
I = 0  
25  
ib  
C
I = 1mA  
V
= 10V  
50  
75  
300  
375  
C
CE  
CE  
h
Small Signal Current Gain  
fe  
I = 10mA  
V
= 10V  
f = 1kHz  
C
SWITCHING CHARACTERISTICS  
t
t
t
t
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
V
= 30V  
V = 0.5V  
BE(off)  
10  
25  
d
CC  
ns  
ns  
I = 150mA  
I
= 15mA  
r
C
B1  
V
= 30V  
I = 150mA  
225  
60  
s
f
CC  
C
I
= I = 15mA  
B2  
B1  
NOTES:  
1) Pulse test: t 300μs , δ ≤ 2%  
p
2) f is defined as the frequency at which h extrapolates to unity.  
T
FE  
Prelim. 3/96  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  
配單直通車
2N2222A產品參數(shù)
型號:2N2222A
是否Rohs認證: 不符合
生命周期:Obsolete
包裝說明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代碼:EAR99
HTS代碼:8541.21.00.75
風險等級:5.27
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH SPEED SATURATED SWITCHING
最大集電極電流 (IC):0.5 A
集電極-發(fā)射極最大電壓:40 V
配置:SINGLE
最小直流電流增益 (hFE):100
JEDEC-95代碼:TO-18
JESD-30 代碼:O-MBCY-W3
JESD-609代碼:e0
濕度敏感等級:1
元件數(shù)量:1
端子數(shù)量:3
最高工作溫度:-888 °C
封裝主體材料:METAL
封裝形狀:ROUND
封裝形式:CYLINDRICAL
峰值回流溫度(攝氏度):NOT SPECIFIED
極性/信道類型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.5 W
認證狀態(tài):Not Qualified
子類別:Other Transistors
表面貼裝:NO
端子面層:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長時間:NOT SPECIFIED
晶體管應用:SWITCHING
晶體管元件材料:SILICON
標稱過渡頻率 (fT):300 MHz
最大關閉時間(toff):285 ns
最大開啟時間(噸):35 ns
VCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1
  •  
  • 供貨商
  • 型號 *
  • 數(shù)量*
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 交易說明
  • 詢價
批量詢價選中的記錄已選中0條,每次最多15條。
 復制成功!